[发明专利]通孔填充方法以及三维存储器的制备方法

权利要求书

1.一种通孔填充方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

提供基底结构，所述基底结构包括衬底以及形成在所述衬底上的叠层结构；在所述叠层结构内形成有暴露所述衬底的通孔；

在所述通孔内填充牺牲层；所述牺牲层为非晶材料层，在所述非晶材料层内具有掺杂离子；所述掺杂离子包括P；

其中，所述牺牲层通过化学气相沉积工艺形成，气源包括SiH₄和PH₃，所述PH₃与SiH₄的流量比为30%-80%。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非晶材料层包括非晶硅层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掺杂离子的掺杂浓度范围为1×10¹⁵-1×10²² cm^-3。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺的温度范围为300-530℃。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积工艺中气源PH₃的体积流量范围为10-2000sccm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括对填充有所述牺牲层的所述基底结构执行退火工艺的步骤。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述退火工艺的温度范围为800-1200℃。

8.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括权利要求1至7中任意一项所述的通孔填充方法的步骤。