[发明专利]一种二维层状碲掺杂锗烷及制备方法有效
| 申请号： | 201910792265.2 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112429703B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 封伟;王宇;冯奕钰;赵付来;张鑫;梁雪静 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01B6/06 | 分类号： | C01B6/06 |
| 代理公司： | 天津创智睿诚知识产权代理有限公司 12251 | 代理人： | 李薇 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二维 层状 掺杂 制备 方法 | ||
1.一种二维层状碲掺杂锗烷，其特征在于，按照下述步骤进行：按前驱体摩尔比例在石英管中真空封装Ge、GeTe、Ca三种物质置于真空管式炉中，设定控温程序，自室温在300±20min之内升温至1000—1100摄氏度并维持1000—1200min以进行熔融，经冷却后得到CaGe2-2xTe2x前驱体，其中x=0.01-0.05，在冷却中，以5—10℃/min降温至室温；再将前驱体与过量盐酸在零下35—零下45摄氏度下进行反应，以去除元素钙，得到二维层状的半导体材料碲掺杂锗烷HGe1-xTex，其中x=0.01-0.05，搅拌速度为200-800 r/min，反应时间为150—350小时。
2.根据权利要求1所述的一种二维层状碲掺杂锗烷，其特征在于，真空管式炉中真空度需达到0.1MPa以下。
3.根据权利要求1所述的一种二维层状碲掺杂锗烷，其特征在于，盐酸为质量百分数30—35wt%的浓盐酸。
4.一种如权利要求1所述的二维层状碲掺杂锗烷的制备方法，其特征在于，按照下述步骤进行：按前驱体摩尔比例在石英管中真空封装Ge、GeTe、Ca三种物质置于真空管式炉中，设定控温程序，自室温在300±20min之内升温至1000—1100摄氏度并维持1000—1200min以进行熔融，经冷却后得到CaGe2-2xTe2x前驱体，其中x=0.01-0.05，在冷却中，以5—10℃/min降温至室温；再将前驱体与过量盐酸在零下35—零下45摄氏度下进行反应，以去除元素钙，得到二维层状的半导体材料碲掺杂锗烷HGe1-xTex，其中x=0.01-0.05，搅拌速度为200-800 r/min，反应时间为150—350小时。
5.根据权利要求4所述的一种二维层状碲掺杂锗烷的制备方法，其特征在于，真空管式炉中真空度需达到0.1MPa以下。
6.根据权利要求4所述的一种二维层状碲掺杂锗烷的制备方法，其特征在于，盐酸为质量百分数30—35wt%的浓盐酸。
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