[发明专利]一种ZnO/Sn3

权利要求书

1.一种ZnO/Sn₃O₄气敏材料，其特征在于，所述ZnO/Sn₃O₄气敏材料的制备方法包括如下步骤：

(1)将锡源、柠檬酸盐溶于水后再与碱液配制成前驱体溶液；

(2)将上述前驱体溶液进行水热反应，得到含有Sn₃O₄沉淀的反应液；

(3)搅拌该反应液使Sn₃O₄沉淀分散均匀，之后加入ZnO纳米颗粒分散溶液，继续水热反应；完成后将得到的沉淀洗涤后进行干燥，即得ZnO纳米颗粒修饰的分级花状Sn₃O₄敏感材料；

步骤(1)中，所述锡源包括二水氯化亚锡，无水氯化亚锡中任意一种；

步骤(3)中，所述ZnO纳米颗粒的直径在10-50nm之间，所用ZnO纳米颗粒的添加量为锡源：ZnO纳米颗粒＝1mmol:0.05-0.25mmol；

步骤(1)中，所述锡源、柠檬酸盐和碱液的添加比例为1mmol:1-3mmol:0.5-2mmol；

步骤(2)中，所述水热反应的加热温度控制在160-220℃之间，时间为8-18小时；

步骤(3)中，所述水热反应的温度控制在160-220℃之间，时间为5-8小时。

2.如权利要求1所述的ZnO/Sn₃O₄气敏材料，其特征在于，其由ZnO纳米颗粒和分级结构的Sn₃O₄纳米花组成；其中，所述分级结构的Sn₃O₄纳米花由Sn₃O₄纳米片堆叠而成，所述ZnO纳米颗粒原位生长在Sn₃O₄纳米片上；所述分级是指：由低维结构的纳米片经有序自组装而成的三维结构。

3.如权利要求2所述的ZnO/Sn₃O₄气敏材料，其特征在于，所述Sn₃O₄纳米片的厚度在10-40nm之间；所述Sn₃O₄纳米花的直径在2-4μm之间。

4.如权利要求1所述的ZnO/Sn₃O₄气敏材料，其特征在于，所用分散ZnO纳米颗粒的溶剂包括去离子水、乙醇中的任意一种。

5.如权利要求1所述的ZnO/Sn₃O₄气敏材料，其特征在于，所述柠檬酸盐包括二水柠檬酸三钠，五水柠檬酸三钠中任意一种。

6.如权利要求1所述的ZnO/Sn₃O₄气敏材料，其特征在于，所述碱液包括氢氧化钠、氨水中的任意一种。

7.如权利要求1所述的ZnO/Sn₃O₄气敏材料，其特征在于，步骤(1)中，在制备前驱体溶液时采用磁力搅拌，以便于形成均匀的前驱体溶液。

8.如权利要求1所述的ZnO/Sn₃O₄气敏材料，其特征在于，步骤(3)中，可采用去离子水和乙醇清洗数次后再进行干燥。

9.如权利要求1所述的ZnO/Sn₃O₄气敏材料，其特征在于，步骤(3)中，所述干燥温度为60-80℃，时间为6-12小时。