[发明专利]一种钴酸锂复合薄膜电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201910792313.8 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN110438449A | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 戴新义;唐乾昌;吴复忠 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/08;C23C14/35;H01M4/525;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京联创佳为专利事务所(普通合伙) 11362 | 代理人： | 张梅 |
| 地址： | 550025 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钴酸锂 复合薄膜电极 制备 共溅射 固溶体 溅射 导电性 钴酸锂靶材 导电网络 电极循环 复合薄膜 制备过程 金属铝 铝靶材 铝掺杂 锂离子 靶材 多靶 改性 晶格 铝靶 输运 薄膜 调控 | ||
1.一种钴酸锂复合薄膜电极及其制备方法，其特征在于：采用多靶共溅射技术同时溅射钴酸锂靶材及铝靶材制备铝掺杂改性的钴酸锂复合薄膜电极。
2.根据权利要求1所述的钴酸锂复合薄膜电极及其制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）将钴酸锂靶材及铝靶材安装于磁控溅射腔体，持续抽真空，将基片置于基片夹并加热、旋转；
（2）抽真空至背底真空后，通入工作气体，采用多靶共溅射技术同时溅射钴酸锂靶材及铝靶材制备铝掺杂改性的钴酸锂复合薄膜电极，通过控制钴酸锂靶及铝靶的溅射参数及靶材成分来调控复合薄膜的成分及结构；
（3）溅射完成后自然冷却，得到钴酸锂复合薄膜电极。
3.根据权利要求2所述的钴酸锂复合薄膜电极及其制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中，钴酸锂靶材成分为LixCoO2，其中1≤x≤1.2，铝靶材成分为Al。
4.根据权利要求2所述的钴酸锂复合薄膜电极及其制备方法，其特征在于：所述步骤（1）中，所述的基片加热温度为300-600℃并保持，基片转速为5-20rpm。
5.根据权利要求2所述的钴酸锂复合薄膜电极及其制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中，背底真空为1×10-4-1×10-3Pa，溅射工作气体为氩气或氩氧混合气，通入工作气体后使溅射气压为0.2-5.0Pa。
6.根据权利要求5所述的钴酸锂复合薄膜电极及其制备方法，其特征在于：所述氩氧混合气中氧气的体积分数为5-50%。
7.根据权利要求2所述的钴酸锂复合薄膜电极及其制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中，多靶共溅射钴酸锂靶材溅射参数为：靶基距3-10cm，溅射功率50-250W。
8.根据权利要求2所述的钴酸锂复合薄膜电极及其制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中，多靶共溅射铝靶材溅射参数为：靶基距3-10cm，溅射功率10-100W。
9.根据权利要求2所述的钴酸锂复合薄膜电极及其制备方法，其特征在于：所述步骤（2）中，钴酸锂复合薄膜电极厚度为300-2000nm。
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