[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，包括：

在半导体衬底上形成蚀刻目标层；

在所述蚀刻目标层上形成图案化的掩膜层；

以图案化的掩膜层为掩膜，采用干法蚀刻对所述蚀刻目标层进行蚀刻，使得所述蚀刻目标层形成间隔排列的多条布线，

其中，所述掩膜层包括多个凸块，所述凸块的宽度与相应的所述布线的线宽相对应，所述凸块的高度是根据所述蚀刻目标层的材料和高度设置，所述形成图案化的掩膜层的方法包括：灰阶光刻方法、纳米压印方法、灰阶掩模版光刻方法和离子束气体辅助沉积方法；

所述掩膜层的材料包括：光刻胶或者金属；

当所述掩膜层与所述蚀刻目标层的蚀刻比为1:1时，所述凸块的高度为所述蚀刻目标层的1.2～1.5倍。

2.根据权利要求1所述的形成方法，其中，使用所述灰阶光刻方法形成所述图案化的掩膜层的步骤包括：

在所述蚀刻目标层上形成掩膜层；

使用灰阶电子束对所述掩膜层进行分区域曝光；

对所述曝光的掩膜层进行显影，

其中，通过控制所述电子束的能量，使得所述掩膜层的不同区域的曝光深度不同，从而形成所述图案化的掩膜层。

3.根据权利要求1所述的形成方法，其中，使用所述纳米压印方法形成所述图案化的掩膜层的步骤包括：

在所述蚀刻目标层上形成掩膜层；

使用纳米压印模板对所述掩膜层进行压印；

待所述掩膜层固化后移走所述纳米压印模板，

其中，所述纳米压印模板具有与所述图案化的掩膜层的多个凸块相匹配的凹槽，通过控制所述纳米压印模板的凹槽高度，宽度和间隔宽度，从而形成所述图案化的掩膜层。

4.根据权利要求1所述的形成方法，其中，使用所述灰阶掩模版光刻方法形成所述图案化的掩膜层的步骤包括：

在所述蚀刻目标层上形成掩膜层；

使用光束通过灰阶掩模版对所述掩膜层进行分区域曝光；

对所述曝光的掩膜层进行显影，

其中，所述灰阶掩模版包括透光层和不透光层，通过控制所述不透光层的缝隙数量和/或尺寸控制穿过所述灰阶掩模版的光束能量，使得所述掩膜层的不同区域的曝光深度不同，从而形成所述图案化的掩膜层。

5.根据权利要求4所述的形成方法，其中，所述灰阶掩模版还包括半透光层，通过控制所述半透光层的厚度来控制穿过所述灰阶掩模版的光束能量。

6.根据权利要求1所述的形成方法，其中，使用所述离子束气体辅助沉积方法形成所述图案化的掩膜层的步骤包括：

将离子束入射在所述蚀刻目标层的表面上；

向所述离子束入射的所述蚀刻目标层的表面通入前驱气体；

改变所述离子束和前驱气体的位置，形成图案化的掩膜层，

其中，所述前驱气体在所述离子束作用下生成挥发性和非挥发性物质，所述非挥发性物质沉积形成掩膜层，通过控制所述前驱气体的流量、所述离子束的能量和直径形成所述图案化的掩膜层。