[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一栅极图案和第二栅极图案，所述第一栅极图案和所述第二栅极图案位于衬底上并且彼此间隔开；以及

分隔图案，所述分隔图案将所述第一栅极图案与所述第二栅极图案彼此分隔开，

其中，所述第一栅极图案包括第一高k介电图案和位于所述第一高k介电图案上的第一含金属图案，所述第一含金属图案覆盖所述第一高k介电图案的侧壁，

其中，所述第二栅极图案包括第二高k介电图案和位于所述第二高k介电图案上的第二含金属图案，并且

其中，所述分隔图案与所述第一含金属图案直接接触，并且与所述第一高k介电图案间隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第二含金属图案覆盖所述第二高k介电图案的侧壁，并且

所述分隔图案与所述第二含金属图案直接接触，并与所述第二高k介电图案间隔开。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一栅极图案和所述第二栅极图案在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上伸长，并且位于一条虚直线上。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

所述第一栅极图案具有在第二方向上的第一宽度，所述第二方向平行于所述衬底的顶表面并且与所述第一方向相交，并且

所述分隔图案具有在所述第二方向上的第二宽度，所述第二宽度等于或大于所述第一宽度。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述分隔图案的至少一部分在所述第二方向上延伸，当在俯视图中观察时，所述分隔图案具有线形。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一栅极图案还包括位于所述第一高k介电图案与所述第一含金属图案之间的第一功函数图案，

所述第一功函数图案的侧壁与所述第一高k介电图案的侧壁对准，

所述第一含金属图案与所述第一功函数图案的侧壁接触，并且

所述分隔图案与所述第一功函数图案间隔开。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一含金属图案包括第一功函数图案和第一金属线图案，并且

所述第一功函数图案与所述第一高k介电图案的侧壁接触。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述分隔图案的上部延伸以覆盖所述第一含金属图案的顶表面。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

多个第一有源鳍，所述多个第一有源鳍从所述衬底突出；以及

多个第二有源鳍，所述多个第二有源鳍从所述衬底突出，

其中，所述第一栅极图案跨越所述多个第一有源鳍，

其中，所述第二栅极图案跨越所述多个第二有源鳍，并且

其中，所述多个第一有源鳍中的最靠近所述第二栅极图案的第一有源鳍与所述多个第二有源鳍中的最靠近所述第一栅极图案的第二有源鳍之间的第一距离大于彼此相邻的所述第一有源鳍之间的第二距离。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

多个第一有源鳍，所述多个第一有源鳍从所述衬底突出；

多个第二有源鳍，所述多个第二有源鳍从所述衬底突出；以及

器件隔离图案，所述器件隔离图案位于所述第一有源鳍与所述第二有源鳍之间，并且所述器件隔离图案的顶表面低于所述第一有源鳍的顶表面和所述第二有源鳍的顶表面，

其中，所述第一栅极图案跨越所述多个第一有源鳍，

其中，所述第二栅极图案跨越所述多个第二有源鳍，

其中，所述分隔图案与所述器件隔离图案接触，并且

其中，所述分隔图案的底表面低于所述器件隔离图案的顶表面。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一高k介电图案延伸以接触所述第一含金属图案的侧壁，并且

所述第二高k介电图案延伸以接触所述第二含金属图案的侧壁。