[发明专利]带有压电致动器的谐振双轴线MEMS反射器及包含其的投影MEMS系统

权利要求书

1.一种MEMS器件，包括：

固定结构，至少一部分由半导体材料制成；

活动结构，包括反射元件；

第一可变形结构，被耦合在所述固定结构与所述活动结构之间；以及

第二可变形结构，被耦合在所述固定结构与所述活动结构之间；

其中所述第一可变形结构和所述第二可变形结构中的每个包括相应的底部电极区域；

其中所述第一可变形结构和所述第二可变形结构中的每个具有相应的主体，所述相应的主体具有沿着相应的伸长方向上的伸长的形状；

其中所述第一可变形结构和所述第二可变形结构中的每个包括多个主压电元件，所述多个主压电元件被机械地耦合到所述相应的主体并且被布置在所述相应的主体的所述伸长方向上；

所述第一可变形结构的所述主压电元件在所述第一可变形结构的所述底部电极区域的顶部上延伸，并且能够被电控制以引起所述第一可变形结构的变形以及所述活动结构关于第一轴线的振荡；

所述第二可变形结构的所述主压电元件在所述第二可变形结构的所述底部电极区域的顶部上延伸，并且被电控制以引起所述第二可变形结构的变形以及所述活动结构关于第二轴线的振荡；

其中所述第一可变形结构还包括次压电元件，所述次压电元件被机械地耦合到所述相应的主体，所述次压电元件被电控制以引起所述第一可变形结构的进一步变形，所述进一步变形改变所述活动结构关于所述第一轴线的所述振荡的第一谐振频率；

其中所述第一可变形结构的所述次压电元件具有横向于所述相应的主体伸长的形状。

2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述第一可变形结构和所述第二可变形结构中的每个还具有相应的连接部分，所述相应的连接部分从所述主体延伸并且被耦合到所述活动结构。

3.根据权利要求2所述的MEMS器件，其中所述连接部分垂直于所述主体的相应的所述伸长方向而延伸。

4.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中所述第一可变形结构和所述第二可变形结构中的每个包括相应的半导体区域。

5.一种MEMS器件，包括：

固定结构；

活动结构，包括反射元件；

第一可变形结构，被耦合在在所述固定结构与所述活动结构之间；以及

第二可变形结构，被耦合在所述固定结构与所述活动结构之间；

其中所述第一可变形结构和所述第二可变形结构中的每个具有相应的主体，所述相应的主体具有沿着相应的伸长方向上的伸长的形状；

其中所述第一可变形结构和所述第二可变形结构中的每个包括多个主压电元件，所述多个主压电元件被机械地耦合到所述相应的主体并且被布置在所述相应的主体的所述伸长方向上；

所述第一可变形结构的所述主压电元件能够被电控制以引起所述第一可变形结构的变形以及所述活动结构关于第一轴线的振荡；

所述第二可变形结构的所述主压电元件被电控制以引起所述第二可变形结构的变形以及所述活动结构关于第二轴线的振荡；并且

其中所述第一可变形结构还包括次压电元件，所述次压电元件被机械地耦合到所述相应的主体，所述次压电元件被电控制以引起所述第一可变形结构的进一步变形，所述进一步变形改变所述活动结构关于所述第一轴线的所述振荡的第一谐振频率；

其中所述第一可变形结构的所述次压电元件具有横向于所述相应的主体伸长的形状。

6.根据权利要求5所述的MEMS器件，其中所述主压电元件和所述次压电元件在所述相应的主体的所述伸长方向上被彼此散置。

7.根据权利要求6所述的MEMS器件，其中所述次压电元件各自具有伸长的形状，所述伸长的形状在横向于所述主体的所述伸长方向的方向上延伸。

8.根据权利要求5所述的MEMS器件，其中所述第二可变形结构还包括次压电元件，所述次压电元件被机械地耦合到所述相应的主体，所述次压电元件被电控制以引起所述第二可变形结构的进一步变形，所述进一步变形改变所述活动结构关于所述第二轴线的所述振荡的第二谐振频率。