[发明专利]一种抗干扰MEMS器件的制备方法

权利要求书

1.一种抗干扰MEMS器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、取第一SOI硅片作为衬底层晶圆，利用光刻与刻蚀工艺在第一SOI硅片的衬底硅中心与两侧分别形成环形的隔离槽，隔离槽深至第一SOI硅片的埋氧层；

S2、依次通过热氧化工艺与介质填充工艺，在衬底硅表面生长二氧化硅绝缘介质层与多晶硅隔离介质层，并填充进隔离槽；再利用减薄、化学机械抛光工艺去除隔离槽外部的二氧化硅绝缘介质层与多晶硅隔离介质层，在衬底硅中心与两侧分别形成第一垂直引线与第二垂直引线；

S3、取第一双抛硅片作为感应电极结构层晶圆，通过光刻、刻蚀工艺，在第一双抛硅片表面制备感应电极框架、感应电极中心锚点以及感应电极中心锚点两侧的硅支撑柱；

S4、将步骤S2与步骤S3得到的晶圆相键合，感应电极中心锚点与第一垂直引线相对应，硅支撑柱与第二垂直引线相对应；

S5、取第二双抛硅片作为可动敏感结构层晶圆，通过光刻、刻蚀工艺，在第二双抛硅片表面制备可动结构框架与可动结构中心锚点；

S6、将步骤S5与步骤S4得到的晶圆相键合，再从第二双抛硅片表面进行光刻与刻蚀，形成可动敏感结构以及由硅支撑柱支撑的感应电极；可动结构中心锚点与感应电极中心锚点相对应；

S7、取单晶硅片作为盖帽晶圆，利用光刻、刻蚀工艺在单晶硅片表面制作盖帽外围框架与活动腔；

S8、将步骤S7与步骤S4得到的晶圆相键合；

S9、将步骤S8得到的晶圆进行减薄，去除第一SOI硅片的顶层硅；通过光刻、刻蚀工艺，在第一SOI硅片的埋氧层上制备一组接触孔，接触孔与第一垂直引线及第二垂直引线一一对应；

S10、在接触孔处制备用于引线键合的PAD点。