[发明专利]准谐振调光控制系统和方法有效
申请号: | 201910794240.6 | 申请日: | 2019-08-27 |
公开(公告)号: | CN110572902B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 李萌;朱力强;周俊 | 申请(专利权)人: | 昂宝电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H05B45/10 | 分类号: | H05B45/10;H05B45/345;H05B45/325;H05B45/59;H05B45/37;H02M3/158 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 林强 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 谐振 调光 控制系统 方法 | ||
1.一种准谐振调光控制系统,包括:
准谐振开关变换单元,包括MOS管和电感,用于利用由所述MOS管的寄生电容和所述电感形成的LC谐振腔来进行准谐振调光控制;
退磁反馈单元,用于提供表征所述MOS管的漏极电压的退磁反馈信号;
开关控制单元,用于基于所述退磁反馈信号确定谷底检测信号的数量,并且当所述谷底检测信号的数量等于当前锁定的谷底数量时控制所述MOS管的导通,其中,所述当前锁定的谷底数量是基于系统的工作频率和上钳频和下钳频来确定的。
2.根据权利要求1上述的系统,其中,所述开关控制单元包括:
退磁感测模块,用于接收所述退磁反馈信号,并响应于所述退磁反馈信号降为零而生成所述谷底检测信号;
谷底锁定控制模块,用于确定从退磁感测模块接收的所述谷底检测信号的数量和所述当前锁定的谷底数量,并且在所述谷底检测信号的数量等于所述当前锁定的谷底数量时生成用于控制所述MOS管的导通的退磁信号;
峰值采样模块,用于对表征所述准谐振开关变换单元的负载电流的输出反馈信号进行采样以生成输出采样信号;
模拟调光控制模块,用于输出用于模拟调光的模拟调光控制信号;
误差放大器模块,用于通过将所述输出采样信号作为反相输入并将所述模拟调光控制信号作为正相输入,生成误差放大信号;
输出反馈放大器模块,用于对所述输出反馈信号进行放大以生成经放大的输出反馈信号;
PWM比较器模块,用于将所述经放大的输出反馈信号作为同相输入并将经补偿的误差放大信号作为反相输入,来生成用于控制所述MOS管的关断的输出信号;
开关锁存器模块,用于基于所述PWM比较器模块的输出信号和所述谷底锁定控制模块生成的退磁信号生成驱动控制信号;
驱动模块,用于基于所述驱动控制信号生成用于控制所述MOS管的导通与关断的Gate信号。
3.根据权利要求2所述的系统,其中,所述模拟调光包括高频PWM转模拟调光。
4.根据权利要求2所述的系统,其中,所述模拟调光包括直流DC模拟调光。
5.根据权利要求2所述的系统,其中,所述谷底锁定控制模块还用于:根据所述经补偿的误差放大信号确定所述上钳频和所述下钳频;基于系统的工作频率和所述上钳频和所述下钳频来确定所述当前锁定的谷底数量。
6.根据权利要求5所述的系统,其中,所述谷底锁定控制模块还用于:
通过当所述检测到的工作频率高于所述上钳频时将所需谷底数量加1并且当将检测到的工作频率低于所述下钳频时将所需谷底数量减1,来确定所述当前锁定的谷底数量。
7.根据权利要求2所述的系统,其中,所述开关控制单元还包括:
PWM调光控制模块,用于基于低频PWM调光控制信号控制对所述误差放大器模块输出的所述误差放大信号的补偿。
8.根据权利要求7所述的系统,其中,当所述低频PWM调光控制信号为占空比信号时,所述谷底锁定控制模块还用于:
基于所述模拟调光控制信号确定所述当前锁定的谷底数量。
9.根据权利要求7所述的系统,当所述低频PWM调光控制信号为低电平时,所述开关控制单元被配置为强制关断所述MOS管。
10.根据权利要求1所述的系统,其中,所述准谐振开关变换单元是准谐振Buck架构变换器。
11.根据权利要求1所述的系统,其中,所述准谐振开关变换单元是准谐振Boost架构变换器。
12.根据权利要求1所述的系统,其中,所述准谐振开关变换单元是准谐振Fly-Back架构变换器。
13.根据权利要求2所述的系统,其中,所述输出反馈信号是与所述MOS管的源极端串联的电阻的电压。
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