[发明专利]降压模式谷值电流感测复制线性化

权利要求书

1.一种用于DC/DC升压转换器的电流测量线性化电路，所述电流测量线性化电路包括：

背栅感测晶体管，其具有耦合到高侧功率晶体管的第一体接触的第一端子和耦合到谷值电流感测电路中的第一复制晶体管的第二体接触的第二端子；和

背栅复位晶体管，其具有耦合到最大参考电压的第一端子和耦合到所述第二体接触的第二端子，所述最大参考电压等于输入电压和输出电压中的较大者。

2.根据权利要求1所述的电流测量线性化电路，其中在下降模式期间，所述背栅感测晶体管经耦合以在所述低侧功率晶体管导通时截止并且在所述低侧功率晶体管截止时导通。

3.根据权利要求2所述的电流测量线性化电路，其中在所述降压模式期间，所述背栅复位晶体管经耦合以在所述低侧功率晶体管导通时导通并且在所述低侧功率晶体管截止时截止。

4.根据权利要求3所述的电流测量线性化电路，其中在升压模式期间，所述背栅感测晶体管经耦合以导通，并且所述背栅复位晶体管经耦合以截止。

5.根据权利要求4所述的电流测量线性化电路，其中所述背栅感测晶体管的所述第一端子还耦合到背栅断开晶体管的第三体接触。

6.根据权利要求5所述的电流测量线性化电路，其中所述背栅感测晶体管和背栅复位晶体管是P型金属氧化物硅晶体管即PMOS晶体管。

7.一种在集成电路芯片即IC芯片上实施的DC/DC升压转换器，所述DC/DC升压转换器包括：

低侧功率晶体管，其与第一引脚和第二引脚之间的高侧功率晶体管串联耦合，所述低侧功率晶体管和所述高侧功率晶体管之间的开关节点耦合到第三引脚；

背栅断开晶体管，其耦合在所述高侧功率晶体管的第一体接触和所述第二引脚之间；

谷值电流感测电路，其包括第一复制晶体管和第二复制晶体管，所述第一复制晶体管与所述开关节点和较低轨之间的第一电流吸收器串联耦合，所述第一复制晶体管和所述第一电流吸收器之间的节点经耦合以将复制电压提供到比较器的反相输入端，所述第二复制晶体管与最大参考电压和所述较低轨之间的第二电流吸收器串联耦合，所述第二复制晶体管和所述第二电流吸收器之间的节点经耦合以提供所述比较器的非反相输入上的比较电压；和

电流测量线性化电路，其包括耦合在所述第一复制晶体管的所述第一体接触和第二体接触之间的背栅感测晶体管和耦合在所述第二体接触和最大参考电压之间的背栅复位晶体管。

8.根据权利要求7所述的DC/DC升压转换器，其中在降压模式期间，所述背栅感测晶体管经耦合以在所述低侧功率晶体管导通时截止并且在所述低侧功率晶体管截止时导通。

9.根据权利要求8所述的DC/DC升压转换器，其中在所述降压模式期间，所述背栅复位晶体管经耦合以在所述低侧功率晶体管导通时导通并且在所述低侧功率晶体管截止时截止。

10.根据权利要求9所述的DC/DC升压转换器，其中在升压模式期间，所述背栅感测晶体管经耦合以导通，并且所述背栅复位晶体管经耦合以截止。

11.根据权利要求10所述的DC/DC升压转换器，其中所述背栅感测晶体管的第一端子还耦合到背栅断开晶体管的第三体接触。

12.根据权利要求11所述的DC/DC升压转换器，其中所述背栅断开晶体管的所述第三体接触耦合到所述高侧功率晶体管的所述第一体接触。

13.根据权利要求12所述的DC/DC升压转换器，其中所述比较器的输出经耦合以启动所述低侧功率晶体管的导通。

14.根据权利要求13所述的DC/DC升压转换器，其中所述比较器的输出还经耦合以启动所述高侧功率晶体管的截止。