[发明专利]具有复合电子阻挡层的外延结构、制作方法及LED芯片在审
| 申请号： | 201910794678.4 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110416375A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 蔺宇航;卓祥景;王爱民;程伟;尧刚 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361001 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 超晶格电子阻挡层 复合电子 外延结构 阻挡层 减小 单层 空穴 空穴注入效率 有效势垒高度 发光效率 复合概率 极化电场 有效减少 波函数 非辐射 交迭 溢出 制作 匹配 泄露 | ||
1.一种具有复合电子阻挡层的外延结构，其特征在于，包括依次层叠的衬底、第一型半导体层、有源层、复合电子阻挡层和第二型半导体层；
所述复合电子阻挡层包括AlxGa1-xN/GaN超晶格电子阻挡层、InyAlzGa1-y-zN/GaN超晶格电子阻挡层以及高Al组分和高In组分的InmAlnGa1-m-nN单层，其中，0<x<1，0<y<1，0<z<1，0<m<1，0<n<1，y+z<1，m+n<1；
所述AlxGa1-xN/GaN超晶格电子阻挡层、InmAlnGa1-m-nN单层和InyAlzGa1-y-zN/GaN超晶格电子阻挡层依次层叠，所述AlxGa1-xN/GaN超晶格电子阻挡层靠近有源层设置，所述InyAlzGa1-y-zN/GaN超晶格电子阻挡层靠近第二型半导体层设置。
2.根据权利要求1所述的具有复合电子阻挡层的外延结构，其特征在于，所述InmAlnGa1-m-nN单层的Al组分分别高于AlxGa1-xN/GaN超晶格电子阻挡层和InyAlzGa1-y-zN/GaN超晶格电子阻挡层的Al组分，所述InmAlnGa1-m-nN单层的In组分分别高于AlxGa1-xN/GaN超晶格电子阻挡层和InyAlzGa1-y-zN/GaN超晶格电子阻挡层的In组分。
3.根据权利要求1所述的具有复合电子阻挡层的外延结构，其特征在于，所述AlxGa1-xN/GaN超晶格电子阻挡层中的Al组分随生长周期而增加或减少或保持不变，所述InyAlzGa1-y-zN/GaN超晶格电子阻挡层中GaN的厚度随生长周期而增加或减少或保持不变。
4.根据权利要求1所述的具有复合电子阻挡层的外延结构，其特征在于，所述AlxGa1-xN/GaN超晶格电子阻挡层中的Al组分随生长周期而增加或减少或保持不变，所述InyAlzGa1-y-zN/GaN超晶格电子阻挡层中的Al组分随生长周期而增加或减少或保持不变。
5.根据权利要求1所述的具有复合电子阻挡层的外延结构，其特征在于，还包括缓冲层和u-GaN层，所述缓冲层和u-GaN层依次层叠并设于衬底和第一型半导体层之间，缓冲层靠近衬底设置，u-GaN层靠近第一型半导体层设置。
6.根据权利要求1所述的具有复合电子阻挡层的外延结构，其特征在于，所述AlxGa1-xN/GaN超晶格电子阻挡层和InyAlzGa1-y-zN/GaN超晶格电子阻挡层的周期分别为5-20个。
7.一种LED芯片，包括第一电极和第二电极，其特征在于，还包括权利要求1-6任意一项所述的具有复合电子阻挡层的外延结构，所述第一电极设于所述第一型半导体层上，所述第二电极设于所述第二型半导体层上。
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