[发明专利]成膜装置和成膜方法以及太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.成膜装置，其具有：

真空槽，其能够沿着搬运路径而搬运基板；

第1成膜区域，其设置在所述真空槽内，具有在所述基板的第1面上进行成膜的第1溅射源；

第1真空退火处理机构，其设置在所述第1成膜区域的搬运方向下游侧，对在该第1成膜区域中形成在所述基板的第1面上的非晶状态的第1溅射膜进行真空退火处理；

第2成膜区域，其设置在所述真空槽内，具有在所述基板的第2面上进行成膜的第2溅射源；和

第2真空退火处理机构，其设置在所述第2成膜区域的搬运方向下游侧，对在该第2成膜区域中形成在所述基板的第2面上的非晶状态的第2溅射膜进行真空退火处理。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，在所述第1真空退火处理机构与所述第2成膜区域之间，设置有退火促进用真空退火处理机构，其对通过该第1真空退火处理机构而进行了真空退火处理的所述基板的第1面上的第1溅射膜进一步进行真空退火处理。

3.成膜装置，其具有：

真空槽，其形成单一的真空氛围；

第1成膜区域，其设置在所述真空槽内，具有在基板的第1面上进行成膜的第1溅射源；

第2成膜区域，其设置在所述真空槽内，具有在所述基板的第2面上进行成膜的第2溅射源；

搬运路径，其以相对于铅直面的投影形状为一系列环状的方式形成，并设置为通过所述第1和第2成膜区域；和，

基板保持器搬运机构，其将基板保持器沿着所述搬运路径搬运，所述基板保持器具有所述基板的第1和第2面露出的开口部且将该基板保持为水平状态；

所述基板保持器搬运机构具有：第1搬运部，其将所述基板保持器沿着第1搬运方向搬运以通过所述第1成膜区域；第2搬运部，其将所述基板保持器沿着与所述第1搬运方向相反的第2搬运方向搬运以通过所述第2成膜区域；和，搬运折返部，其将所述基板保持器在维持上下关系的状态下从所述第1搬运部向所述第2搬运部折返搬运；

在所述第1搬运部的所述第1成膜区域的搬运方向下游侧，设置有对在所述基板的第1面上形成的非晶状态的第1溅射膜进行真空退火处理的第1真空退火处理机构，同时，

在所述第2搬运部的所述第2成膜区域的搬运方向下游侧，设置有对在所述基板的第2面上形成的非晶状态的第2溅射膜进行真空退火处理的第2真空退火处理机构。

4.根据权利要求3所述的成膜装置，其中，在所述第2搬运部相对于所述第2成膜区域而言的所述第1搬运方向侧，设置有：退火促进用真空退火处理机构，其对通过所述第1真空退火处理机构进行了真空退火处理的所述基板的第1面上的第1溅射膜进一步进行真空退火处理。

5.成膜方法，其是在真空中一边使基板移动一边在该基板的两面上通过溅射而进行成膜的成膜方法，其具有：

第1成膜步骤，在所述基板的第1面上形成非晶状态的第1溅射膜；

第1真空退火处理步骤，对所述基板的第1面上的所述第1溅射膜进行真空退火处理；

第2成膜步骤，在所述基板的第2面上形成非晶状态的第2溅射膜；和

第2真空退火处理步骤，对所述基板的第2面上的所述第2溅射膜进行真空退火处理。

6.根据权利要求5所述的成膜方法，其中，在对所述基板的第1面上的所述非晶状态的第1溅射膜进行真空退火处理的第1真空退火处理步骤之后，且在所述基板的第2面上形成非晶状态的第2溅射膜的第2成膜步骤之前，具有：退火促进步骤，对所述基板的第1面上的第1溅射膜进一步进行真空退火处理。

7.根据权利要求5或6中任一项所述的成膜方法，其中，所述基板是在n型结晶硅基板的第1面上依次设置有i型非晶硅层和p型非晶硅层、同时在所述n型结晶硅基板的第2面上依次设置有i型非晶硅层和n型非晶硅层的基板，

所述第1溅射膜是第1透明导电氧化物膜，且所述第2溅射膜是第2透明导电氧化物膜。