[发明专利]一种有序二维导电分子单层阵列制备方法及光电器件在审

专利信息
申请号: 201910795800.X 申请日: 2019-08-27
公开(公告)号: CN110527107A 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 周晔;周奎;韩素婷 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: C08G83/00 分类号: C08G83/00;H01L51/42;H01L51/46
代理公司: 44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 王永文;刘文求<国际申请>=<国际公布>
地址: 518060 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 导电分子 二维 氨基官能团 单层 单分子层 光电器件 金属元素 有机配体 制备 载流子 氨基 二维层状结构 传输性能 高度有序 目标分子 取向一致 有机溶剂 电荷 配位
【权利要求书】:

1.一种有序二维导电分子单层阵列的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

将含金属元素的有机化合物与具有氨基的有机配体混合,反应得到具有氨基官能团二维MOF材料;

将导电分子与有机溶剂混合,得到导电分子溶液,将所述具有氨基官能团二维MOF材料放置在所述导电分子溶液中,反应得到有序二维导电分子单层阵列。

2.根据权利要求1所述有序二维导电分子单层阵列的制备方法,其特征在于,所述金属元素为铁元素、锌元素或钴元素。

3.根据权利要求1所述有序二维导电分子单层阵列的制备方法,其特征在于,所述具有氨基的有机配体为5-氨基苯并咪唑。

4.根据权利要求1所述有序二维导电分子单层阵列的制备方法,其特征在于,所述导电分子的结构式为CHO-R1-R2,其中R1为烷烃链;R2为卟啉,酞腈,蒽、并四苯、并五苯或C60。

5.根据权利要求1所述有序二维导电分子单层阵列的制备方法,其特征在于,所述将所述具有氨基官能团二维MOF材料放置在所述导电分子溶液的步骤中,所述具有氨基官能团二维MOF材料的厚度1.06nm-50nm。

6.根据权利要求4所述有序二维导电分子单层阵列的制备方法,其特征在于,所述有机溶剂为二氯甲烷、四氢呋喃、甲苯、氯苯或1,3-二氯苯。

7.根据权利要求1所述有序二维导电分子单层阵列的制备方法,其特征在于,所述步骤将金属元素与具有氨基的有机配体混合,反应得到具有氨基官能团二维MOF材料,具体包括:

将含金属元素的化合物与具有氨基的有机配体相混合装入玻璃管中,并将所述玻璃管真空熔封;

将熔封后的玻璃管放进加热器,所述加热器温度升温至200-250℃,反应预定时间得到具有氨基官能团二维MOF材料。

8.根据权利要求7所述有序二维导电分子单层阵列的制备方法,其特征在于,所述预定时间为1-3天。

9.根据权利要求1所述有序二维导电分子单层阵列的制备方法,其特征在于,所述步骤将导电分子与有机溶剂混合,得到导电分子溶液,将所述具有氨基官能团二维MOF材料放置在所述导电分子溶液中,反应得到有序二维导电分子单层阵列,具体包括:

将具有氨基官能团二维MOF材料剥离成厚度为1.06nm-50nm的薄片,并将所述薄片转移到基底上;

将具有薄片的基底固定在烧杯壁上,向烧杯中加入所述导电分子、有机溶剂,在室温下搅拌反应18-24h,得到有序二维导电分子单层阵列。

10.一种光电器件,其特征在于,包括由所述权利要求1-9任一所述的制备方法得到的有序二维导电分子单层阵列。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳大学,未经深圳大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910795800.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top