[发明专利]一种薄膜体声波谐振器及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括：

提供蓝宝石衬底，并在所述蓝宝石衬底上制作牺牲层；

在所述牺牲层上形成第一电极；

通过反应磁控溅射的方法在所述蓝宝石衬底、所述牺牲层和所述第一电极上沉积氮化铝层，其中，所述氮化铝层在002方向上的摇摆曲线宽度小于1°；

在所述氮化铝层上形成第二电极；

去除牺牲层，形成空腔；

所述通过反应磁控溅射的方法在所述蓝宝石衬底、所述牺牲层和所述第一电极上沉积氮化铝层，包括：通过在反应磁控溅射中提高蓝宝石衬底的温度，提高氮化铝层的晶体质量。

2.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，在通过反应磁控溅射的方法在所述蓝宝石衬底、所述牺牲层和所述第一电极上沉积氮化铝层时，沉积过程中的温度为T，其中，600℃≤T≤800℃。

3.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，在所述蓝宝石衬底上制作牺牲层包括：

通过物理气相沉积或者化学气相沉积的方法沉积牺牲材料，对所述牺牲材料进行图形化处理，形成所述牺牲层。

4.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述去除牺牲层包括：

对氮化铝层进行图形化刻蚀，露出部分牺牲层；

通过干法或湿法刻蚀所述牺牲层。

5.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为二氧化硅或氮化硅。

6.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，用于刻蚀所述牺牲层的材料为磷酸或氢氟酸。

7.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，采用权利要求1-6中任一项所述的薄膜体声波谐振器的制造方法形成，包括：

依次设置的蓝宝石衬底、第一电极、氮化铝层和第二电极；

所述第一电极与所述蓝宝石衬底之间设置有空腔；

所述氮化铝层在002方向上的摇摆曲线宽度小于1°。

8.根据权利要求7所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述氮化铝层的厚度为D1，其中，0.5μm≤D1≤5μm。

9.根据权利要求7所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极的厚度为D2，所述第二电极的厚度为D3，其中，50nm≤D2≤500nm，50nm≤D3≤500nm。

10.根据权利要求7所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极的材料为铝、钼、钛、钨、铂、铜、银、金和锡中的任意一种或多种；

所述第二电极的材料为铝、钼、钛、钨、铂、铜、银、金和锡中的任意一种或多种。