[发明专利]一种检测DNA甲基化酶活性的光电化学免疫传感器及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种检测DNA甲基化酶活性的光电化学免疫传感器，其特征在于，由Sb₂Se₃-GO-CS修饰基底电极，hDNA共价结合到修饰后的基底电极上，Dam MTase甲基化和DPn I剪切后在电极上得到ssDNA，S1-AuNPs与ssDNA特异性结合得到；所述hDNA的序列为：5’-CAGAGATCCATATACGTTTTTCGTATATGGATCTCTGAAAAA（CH₂）₆ -NH₂-3’；所述ssDNA的序列为5’-TCTCTGAAAAA（CH₂）₆ -NH₂-3’； 所述S1的序列为5’-TTTTTCAGAGA（CH₂）₆-SH-3’。

2.根据权利要求1所述的光电化学免疫传感器，其特征在于，所述基底电极为氧化铟锡半导体电极。

3.根据权利要求1所述的光电化学免疫传感器，其特征在于，所述Sb₂Se₃-GO-CS中CS的质量浓度为0.01wt%-0.5wt%。

4.根据权利要求1-3任一所述的光电化学免疫传感器，其特征在于，所述的Sb₂Se₃-GO由GO水溶液与Sb₂Se₃水溶液混合，超声即得；Sb₂Se₃水溶液与GO水溶液的体积比为1：（0.01-1）。

5.根据权利要求4所述的光电化学免疫传感器，其特征在于，所述Sb₂Se₃由Se的前驱体溶液与含有SbCl₃的2-ME溶液混合加热反应，洗涤干燥即得。

6.根据权利要求1所述的光电化学免疫传感器，其特征在于，所述的S1-AuNPs由AuNPs与单链DNA S1搅拌反应即得；所述AuNPs由HAuCl₄的水溶液加热至沸腾，后加入柠檬酸钠溶液，继续反应，后冷却至室温即得。

7.一种权利要求1所述的检测DNA甲基化酶活性的光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）信号层固定：将Sb₂Se₃-GO与CS的混合溶液滴加在基底电极表面，干燥的室温下晾干，再干燥，用去离子水清洗，晾干；

（2）锚定识别分子：向步骤（1）得到的基底电极表面滴加EDC/NHS混合溶液，室温放置1-2 h，用PBS溶液清洗，清洗后将识别分子hDNA滴加到基底电极上，25-37 ℃孵育2-3 h，然后用 PBS溶液清洗；

（3）非特异性位点封闭：向步骤（2）得到的基底电极表面滴加MCH溶液，封闭0.5-1 h ，然后用 PBS溶液清洗；

（4）甲基化反应：将Dam Mtase溶液滴涂在步骤（3）得到的基底电极表面，25-37 ℃孵育1-2 h，然后用 PBS溶液清洗；

（5）剪切酶作用：将Dpn I溶液滴涂在步骤（4）得到的基底电极表面，25-37 ℃下反应1-2 h，然后用 PBS溶液清洗；

（6）光电化学免疫传感器的构建：向步骤（5）得到的基底电极表面滴加S1-AuNPs溶液进行特异性反应，25-37 ℃孵育1-2 h，然后用PBS溶液清洗，晾干，即得光电化学免疫传感器。

8.根据权利要求7所述的光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，步骤（2）中NHS浓度为5-20 mg/mL， EDC浓度为10-30 mg/mL， hDNA的浓度为0.1-0.5 μM。

9.根据权利要求7所述的光电化学免疫传感器的制备方法，其特征在于，步骤（3）中MCH的浓度为1-4 mM。

10.一种权利要求1所述的检测DNA甲基化酶活性的光电化学免疫传感器在定量检测DNA甲基化酶活性中的应用。