[发明专利]铸造单晶用籽晶的回收方法

权利要求书

1.一种铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，包括如下步骤：

将籽晶拼接铺设于坩埚底部，形成籽晶层；

在所述籽晶层上方设置硅料，控制所述坩埚的温度，使所述籽晶不完全熔化，以及使熔融状态的硅料在所述籽晶层上沿着所述籽晶的晶向结构进行生长，得到铸造单晶硅锭；

取出所述铸造单晶硅锭，并对所述铸造单晶硅锭底部沿垂直于生长方向进行切割，得到整版籽晶；

对所述整版籽晶进行表面处理；

将表面处理后的所述整版籽晶铺设于所述坩埚底部，形成用于生长所述铸造单晶硅锭的所述籽晶层。

2.根据权利要求1所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述对所述整版籽晶进行表面处理包括：

机械处理步骤，对所述整版籽晶进行机械抛光，以保证所述整版籽晶的尺寸精度。

3.根据权利要求1所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述对所述整版籽晶进行表面处理还包括：

腐蚀处理步骤，对所述整版籽晶进行化学抛光，以去除所述整版籽晶表面污损。

4.根据权利要求3所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述腐蚀处理步骤的化学溶液为硝酸/氢氟酸溶液或者氢氧化钾/氢氧化钠溶液。

5.根据权利要求3所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述腐蚀处理步骤去除所述整版籽晶的表面厚度为10μm～100μm。

6.根据权利要求1至5任一项所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述回收方法还包括如下步骤：

去边皮步骤，在进行表面处理之前去除所述整版籽晶的边皮，以去除所述整版籽晶边缘与所述坩埚的接触部分。

7.根据权利要求6所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述整版籽晶去除边皮的边宽范围为20mm～30mm。

8.根据权利要求1至5任一项所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述回收方法还包括如下步骤：

检测步骤，将所述整版籽晶铺设于所述坩埚底部之前，对经过表面处理的所述整版籽晶进行检验；

质量检测步骤，检测所述整版籽晶的表面是否存在缺陷，以及检测所述整版籽晶的表面或者内部是否存在晶花；

若否，则表明所述整版籽晶的质量合格。

9.根据权利要求8所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述检测步骤还包括：

尺寸检测步骤，检测所述整版籽晶的实际边宽尺寸以及实际厚度尺寸；

若所述实际边宽尺寸位于预设边宽尺寸的范围内，所述实际厚度尺寸位于预设厚度尺寸范围内，则表明所述整版籽晶的尺寸合格。

10.根据权利要求9所述的铸造单晶用籽晶的回收方法，其特征在于，所述预设边宽尺寸的范围为所述预设边宽尺寸±0.5mm；

所述预设厚度尺寸的范围为所述预设厚度尺寸±2mm。