[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底(102)的非平坦表面上方形成保护层；

在所述保护层上方形成牺牲层；

平坦化所述牺牲层，以在所述牺牲层上形成平坦化表面；以及

横跨所述半导体衬底以均匀的速率将所述牺牲层的平坦化表面平坦化到足以去除所述牺牲层并且去除所述保护层的部分，以留下所述保护层上的平坦化表面的深度；以及

在所述保护层的平坦化表面上方以均匀的厚度沉积图案化膜层和抗反射涂层，其中，所述图案化膜层和所述抗反射涂层的顶面为平坦表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述牺牲层的所述表面平坦化到足以去除所述牺牲层并且去除所述保护层的部分的深度包括：蚀刻所述牺牲层的所述表面以完全去除所述牺牲层并且部分地去除所述保护层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层包括光刻胶材料，并且其中，在所述保护层上方形成所述牺牲层和在所述牺牲层上形成所述表面一起包括：在所述半导体衬底上旋涂自流平材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述半导体衬底的非平坦表面上方形成所述保护层包括：在所述半导体衬底的凹进区域上方形成所述保护层。

5.根据权利要求4所述的方法，包括：

在形成所述保护层之前，在所述凹进区域上方的层中形成用于存储器阵列的多个浮置栅极和控制栅极的材料；以及

在所述凹进区域上方的层中形成用于所述多个浮置栅极的材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述凹进区域上方的层中形成用于所述多个浮置栅极的材料包括：

在所述半导体衬底上方形成第一介电层；

在所述第一介电层上方形成第一多晶硅层；

在所述第一多晶硅层上方形成第二介电层；以及

在所述第二介电层上方形成第二多晶硅层。

7.一种形成半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底中形成凹进区域；

在所述凹进区域上方的层中形成用于存储器阵列的多个浮置栅极和控制栅极的栅极材料；

在所述凹进区域中的所述栅极材料上方形成保护层；

平坦化所述保护层，包括：

在所述保护层上方形成牺牲层；

平坦化所述牺牲层；以及

在平坦化所述牺牲层之后，横跨所述凹进区域以均匀的速率将所述牺牲层的平坦化表面蚀刻到足以留下所述保护层上的平坦化表面的深度；在平坦化的保护层上方以均匀的厚度沉积蚀刻掩模层，其中，所述蚀刻掩模层的顶面为平坦表面；以及

通过蚀刻所述栅极材料而在所述凹进区域中形成多个栅极堆叠件。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述平坦化的保护层的位于所述凹进区域的厚度大于所述平坦化的保护层的位于所述半导体衬底的其他区域的厚度。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，将所述牺牲层的平坦化表面蚀刻到足以留下所述保护层上的平坦化表面的深度包括：将所述牺牲层的平坦化表面蚀刻到足以完全去除所述牺牲层的深度。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述保护层上方形成所述牺牲层和平坦化所述牺牲层一起包括：在所述保护层上方沉积自流平牺牲层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，在所述保护层上方沉积所述自流平牺牲层包括：使用旋涂工艺沉积所述自流平牺牲层。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，蚀刻所述牺牲层的平坦化表面包括：在沉积和平坦化所述牺牲层之后直接蚀刻所述牺牲层的平坦化表面，而没有中间工艺步骤。