[发明专利]一种金属偏振片及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910797065.6 申请日: 2019-08-27
公开(公告)号: CN110568541A 公开(公告)日: 2019-12-13
发明(设计)人: 周倩;倪凯;晁银银;汪伟奇;白本锋;李星辉;王晓浩 申请(专利权)人: 清华大学深圳研究生院
主分类号: G02B5/30 分类号: G02B5/30
代理公司: 44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司 代理人: 洪铭福
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 介质层 偏振片 金属层 金属 薄层 基底 透过率变化 光栅介质 消光比 制作
【权利要求书】:

1.一种金属偏振片,其特征在于,所述金属偏振片包括基底、介质层和金属层;

所述介质层设置于所述基底一侧的表面上,所述金属层设置于所述介质层远离所述金属层一侧的表面上;

所述介质层包括介质薄层、光栅介质层;

所述介质薄层厚度为0.04~0.06μm。

2.根据权利要求1所述的金属偏振片,其特征在于,所述介质层的材料为氯化钠或氧化硅。

3.根据权利要求1-2任一项所述的金属偏振片,其特征在于,所述基底材料为锗。

4.一种金属偏振片的制作方法,用于制造权利1-3任一权利要求所述的偏振片,其特征在于,所述金属线栅偏振片的制造方法包括:在基底的一侧表面上设置介质层;

在所述介质层上远离基底一侧表面上设置光刻胶层,对所述光刻胶层进行光刻,以使所述光刻胶层具有线栅结构;

以所述光刻胶层为模板,对所述介质层进行刻蚀,以使所述介质层具有线栅结构;

在所述介质层远离所述基底一侧表面上沉积金属层。

5.根据权利要求4所述的金属偏振片的制作方法,其特征在于,所述在基底的一侧表面上设置介质层包括:在所述基底上进行氯化钠或氧化硅沉积。

6.根据权利要求5所述的金属偏振片的制作方法,其特征在于,所述氯化钠或氧化硅沉积为利用真空蒸发镀膜方法沉积。

7.根据权利要求6所述的金属偏振片的制作方法,其特征在于,所述介质层上制作光刻胶光栅包括:在所述介质层上涂覆光刻胶;将所述光刻胶图案化,形成光刻胶光栅。

8.根据权利要求7所述的金属偏振片的制作方法,其特征在于,所述光刻胶图案化包括采用全息干涉、纳米压印或电子束曝光方法制作光刻胶光栅。

9.根据权利要求4所述的金属偏振片的制作方法,其特征在于,所述刻蚀介质层制作介质层光栅为对所述光刻胶光栅及未被光刻胶涂覆的介质层进行刻蚀,并将残余的光刻胶光栅剥离形成所述介质层光栅。

10.根据权利要求9所述的金属偏振片的制作方法,其特征在于,所述刻蚀光刻胶光栅和介质层为采用干法刻蚀、湿法刻蚀或者IBE方法刻蚀介质层制作介质层光栅。

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