[发明专利]具有金属-铁电-金属器件的保存-恢复电路系统在审
申请号: | 201910797105.7 | 申请日: | 2019-08-27 |
公开(公告)号: | CN110956989A | 公开(公告)日: | 2020-04-03 |
发明(设计)人: | K·瓦德亚纳坦;D·H·莫里斯;H·刘;D·J·库里安;U·E·阿维齐;T·卡尔尼克;I·A·杨 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | G11C11/22 | 分类号: | G11C11/22 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉;何焜 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 金属 器件 保存 恢复 电路 系统 | ||
1.一种保存-恢复电路,包括:
第一反相器和第二反相器,交叉耦合在位节点与位拔节点之间;
保存-恢复电路,耦合到所述位节点,所述保存-恢复电路包括:
金属-铁电-金属MFM器件,用于:当所述电路处于睡眠状态时,存储所述位节点的逻辑值;并且当所述电路从所述睡眠状态转变到活跃状态时,将所述逻辑值恢复到所述位节点;以及
传输门,耦合在所述MFM器件与所述位节点之间,用于:当所述电路处于所述活跃状态时,将所述MFM器件与所述位节点隔离开。
2.如权利要求1所述的保存-恢复电路,其中所述MFM器件耦合在内部节点与板线之间,其中所述板线用于接收控制信号以控制所述MFM器件执行所述存储和所述恢复。
3.如权利要求2所述的保存-恢复电路,其中所述保存-恢复电路进一步包括耦合在所述内部节点与地之间的电容性负载。
4.如权利要求3所述的保存-恢复电路,其中所述电容性负载是另一个MFM器件。
5.如权利要求3所述的保存-恢复电路,其中所述保存-恢复电路进一步包括耦合在所述内部节点与地之间的选择器器件,用于在所述存储之前并且在所述恢复之前初始化所述内部节点。
6.如权利要求1所述的保存-恢复电路,其中作为将所述逻辑值恢复到所述位节点的部分,所述第一反相器和第二反相器响应于相应的控制信号将是三态的。
7.如权利要求1所述的保存-恢复电路,其中所述保存-恢复电路是第一保存-恢复电路,其中所述MFM器件是第一MFM器件,并且其中所述电路进一步包括耦合到所述位拔节点的第二保存-恢复电路,所述第二保存-恢复电路包括第二MFM器件,用于:当所述触发器电路处于睡眠状态时,存储所述位拔节点的逻辑值;并且当所述触发器电路从所述睡眠状态转变到活跃状态时,将逻辑值恢复到所述位拔节点。
8.如权利要求7所述的保存-恢复电路,其中,在第一存储操作期间,所述第一MFM器件或所述第二MFM器件中的一个用于基于所述位节点和位拔节点的状态存储相应的位节点或位拔节点的逻辑值,并且在发生在所述第一存储操作之前或之后的第二存储操作期间,所述第一MFM器件或所述第二MFM器件中的另一个用于基于所述位节点和位拔节点的状态存储相应的位节点或位拔节点的逻辑值。
9.如权利要求1至8中的任一项所述的保存-恢复电路,其中所述电路被包括在触发器电路中。
10.如权利要求1至8中的任一项所述的保存-恢复电路,其中所述电路被包括在寄存器堆电路中。
11.一种触发器电路,包括:
第一反相器和第二反相器,交叉耦合在位节点与位拔节点之间;
第一金属-铁电-金属MFM器件,耦合在内部节点与板线之间,所述第一MFM器件用于:当所述触发器电路处于睡眠状态时,存储所述位节点的逻辑值;并且当所述触发器电路从所述睡眠状态转变到活跃状态时,将所述逻辑值恢复到所述位节点;
第二MFM器件,耦合在所述内部节点与地之间,用于提供与所述第一MFM器件进行的电荷共享以用于所述恢复;以及
传输门,耦合在所述内部节点与所述位节点之间,用于:当所述触发器电路处于所述活跃状态时,将所述第一MFM器件和所述第二MFM器件与所述位节点隔离开。
12.如权利要求11所述的触发器电路,其中所述板线用于接收控制信号以控制所述MFM器件执行所述存储和所述恢复。
13.如权利要求12所述的触发器电路,进一步包括在所述内部节点与地之间耦合的选择器器件,用于在所述存储之前并且在所述恢复之前初始化所述内部节点。
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