[发明专利]一种高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法

权利要求书

1.一种高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法，其步骤包括电解原箔工序、第一粗化工序、第二粗化工序、第三粗化工序、第一固化工序、第二固化工序、镀镍工序、防氧化工序、及偶联剂涂覆工序，其特征在于，所述电解原箔工序为：在温度35～55℃、电流密度为50～70A/dm²条件下，使用80～140g/L硫酸和70～95g/L二价铜离子的电解液在阴极辊表面电镀生成原箔，所述电解液包含原箔添加剂，所述原箔添加剂包括500～1500ppm水解胶原蛋白、100～300ppm聚二硫二丙烷磺酸钠、20～80ppm聚乙二醇、10～50ppm疏基化合物及10～20ppm氯根离子；其中，所述水解胶原蛋白的分子量中15％保持在1000～2500道尔顿、70％保持在3000道尔顿、15％保持在3500～6500道尔顿。

2.根据权利要求1所述的高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法，其特征在于，所述原箔添加剂包括1000～1500ppm水解胶原蛋白、95～255ppm聚二硫二丙烷磺酸钠、40～75ppm聚乙二醇、15～40疏基化合物及14～18ppm氯根离子。

3.根据权利要求1所述的高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法，其特征在于，

第一粗化工序为：将经电解原箔工序生成的原箔在温度28-37℃、电流密度10-50A/dm²条件下，使用170-220g/L硫酸、5-15g/L二价铜离子、及15-30ppm盐酸的粗化液进行电镀；

第二粗化工序为：将经第一粗化工序加工的原箔在温度28-37℃、电流密度10-45A/dm²条件下，使用第一粗化工序中相同的粗化液进行电镀；

第三粗化工序为：将经第二粗化工序加工的原箔在温度28-37℃、电流密度10-40A/dm²，使用第一粗化工序中相同的粗化液进行电镀；

其中，所述粗化液包含粗化添加剂，所述粗化添加剂包含5～200ppm钼酸钠、0.5～5ppm十二醇硫酸酯钠及5～10ppm聚二硫二丙烷磺酸钠中的两种或三种。

4.根据权利要求3所述的高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法，其特征在于，所述粗化添加剂包含50～190ppm钼酸钠、2～4.5ppm十二醇硫酸酯钠及3.5～5ppm聚二硫二丙烷磺酸钠。

5.根据权利要求1所述的高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法，其特征在于，

第一固化工序：将经第三粗化工序加工的原箔在温度20-45℃，电流密度30-55A/dm²条件下，使用110-130g/L硫酸、35-45g/L二价铜离子、及25-35ppm盐酸的固化液进行电镀；

第二固化工序：将经第一固化工序加工的原箔在温度20-45℃，电流密度30-55A/dm²条件下，使用第一固化工序中相同的固化液进行电镀；

其中，所述固化液包含有固化添加剂，所述固化添加剂包含2～200ppm七水硫酸钴和0.5～5ppm烷基季铵盐。

6.根据权利要求5所述的高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法，其特征在于，所述固化添加剂包含90～200ppm七水硫酸钴和2.5～3.5ppm烷基季铵盐。

7.根据权利要求1所述的高频高速覆铜板用HVLP铜箔的制造方法，其特征在于，所述偶联剂涂覆工序为：对经防氧化工序后的原箔涂覆浓度为3.0g/L偶联剂，所述偶联剂为乙烯基、氨基和钛酸酯类偶联剂按照1：1：1进行复配而成。