[发明专利]缓解芯片顶层刻蚀时造成下层部位损伤的方法有效
| 申请号： | 201910797858.8 | 申请日： | 2019-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110444469B | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 陈鹏;张志刚;钟明琛;陈燕宁 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/311;H01L21/321;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 贾慧娜;张相午 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 缓解 芯片 顶层 刻蚀 造成 下层 部位 损伤 方法 | ||
1.一种缓解芯片顶层刻蚀时造成下层部位损伤的方法，该芯片顶层具有凸起部位和凹陷部位，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
在芯片顶层涂覆光刻胶；
刻蚀所述光刻胶，使所述凸起部位暴露出来，所述凹陷部位仍然被光刻胶填充；
刻蚀所述凸起部位，直至露出顶层金属；
再次刻蚀所述凹陷部位所残留的光刻胶；
使用化学溶液腐蚀掉所述顶层金属；以及
进行化学机械研磨，直至露出芯片下层部位，完成操作；
其特征在于，所述凸起部位包括顶层金属以及包覆其外的氧化层和钝化层；
其特征在于，在同样的刻蚀条件下，所述氧化层和钝化层对所述光刻胶的刻蚀选择比不小于10。
2.如权利要求1所述的缓解芯片顶层刻蚀时造成下层部位损伤的方法，其特征在于，所述芯片下层部位包括自上而下排列的介质层和次顶层金属。
3.如权利要求1所述的缓解芯片顶层刻蚀时造成下层部位损伤的方法，其特征在于，所述化学溶液为能够与铝或铜反应的化学溶液。
4.如权利要求3所述的缓解芯片顶层刻蚀时造成下层部位损伤的方法，其特征在于，所述能够与铝或铜反应的化学溶液为氢氧化钠溶液或硝酸溶液。
5.如权利要求1所述的缓解芯片顶层刻蚀时造成下层部位损伤的方法，其特征在于，刻蚀芯片顶层涂覆的光刻胶所采用的方法为干法刻蚀。
6.如权利要求5所述的缓解芯片顶层刻蚀时造成下层部位损伤的方法，其特征在于，所述干法刻蚀采用氧气或者紫外光/臭氧干法刻蚀体系。
7.如权利要求1所述的缓解芯片顶层刻蚀时造成下层部位损伤的方法，其特征在于，刻蚀所述凸起部位所采用的方法为干法刻蚀。
8.如权利要求7所述的缓解芯片顶层刻蚀时造成下层部位损伤的方法，其特征在于，所述干法刻蚀包括以下气体组分：四氟化碳或三氟甲烷或六氟化硫与氧气或氩气或氯气所组成的混合气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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