[发明专利]显示面板的制作方法有效
申请号: | 201910798121.8 | 申请日: | 2019-08-27 |
公开(公告)号: | CN110634919B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 黄振 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/33;B23K26/38;B23K26/0622;B23K26/70 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 制作方法 | ||
1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
在形成显示面板的驱动组件和发光组件后,从所述驱动组件向靠近所述发光组件的方向打孔,形成第一开孔;
在所述驱动组件的背离所述发光组件的一侧粘贴支撑膜;
形成贯穿所述支撑膜的第二开孔,所述第一开孔与所述第二开孔连通。
2.根据权利要求1所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述从所述驱动组件向靠近所述发光组件的方向打孔,形成第一开孔,具体包括:
依次通过光刻工艺和刻蚀工艺,从所述驱动组件向靠近所述发光组件的方向刻蚀,形成所述第一开孔;或者,
通过脉冲激光切割技术,从所述驱动组件向靠近所述发光组件的方向切割,形成所述第一开孔。
3.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述通过脉冲激光切割技术,从所述驱动组件向靠近所述发光组件的方向切割,形成所述第一开孔,具体包括:
使用能量大于第一预设值的脉冲激光从所述驱动组件向靠近所述发光组件的方向切割,形成初始开孔;
使用能量小于第二预设值的脉冲激光对所述初始开孔周围的材料进行切割,形成所述第一开孔;所述第二预设值小于所述第一预设值。
4.根据权利要求3所述的显示面板的制作方法,其特征在于,
所述第一预设值大于或等于2500微焦,所述第二预设值大于或等于1000微焦。
5.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述通过脉冲激光切割技术,从所述驱动组件向靠近所述发光组件的方向切割,形成所述第一开孔,具体包括:
使用脉冲激光从所述驱动组件向靠近所述发光组件的方向切割;
使用腐蚀性化学试剂,对脉冲激光切割形成的切割界面进行腐蚀,形成所述第一开孔。
6.根据权利要求2所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述依次通过光刻工艺和刻蚀工艺,从所述驱动组件向靠近所述发光组件的方向刻蚀,形成所述第一开孔,具体包括:
通过光刻工艺,在所述驱动组件上形成开孔图形;
按照所述驱动组件上的所述开孔图形,通过刻蚀工艺,从所述驱动组件向靠近所述发光组件的方向刻蚀,形成所述第一开孔。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制作方法,其特征在于,
所述开孔图形为圆形或方形。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述形成贯穿所述支撑膜的第二开孔,具体包括:
通过机械打孔或脉冲激光切割的方式,从所述支撑膜向所述发光组件的方向打孔,形成所述第二开孔。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一开孔的底部位于所述驱动组件内,且,所述第一开孔贯穿所述驱动组件的像素限定层;或者,
所述第一开孔贯穿所述驱动组件和所述发光组件。
10.根据权利要求9所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一开孔的底部位于所述驱动组件内,且,所述第一开孔贯穿所述驱动组件的像素限定层时,在所述从所述驱动组件向靠近所述发光组件的方向打孔,形成第一开孔之后,所述显示面板的制作方法还包括:
在所述第一开孔的底部沉积透明材料。
11.根据权利要求1至7中任一项所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述驱动组件和所述发光组件形成在第一基板上,在所述从所述驱动组件向靠近所述发光组件的方向打孔,形成第一开孔之前,所述显示面板的制作方法还包括:
在所述发光组件的背离所述驱动组件的一侧粘附第二基板;
剥离所述第一基板;
所述在所述驱动组件的背离所述发光组件的一侧粘贴支撑膜之前,所述显示面板的制作方法还包括:
剥离所述第二基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的