[发明专利]一种Eu2+ 有效
申请号: | 201910798424.X | 申请日: | 2019-08-27 |
公开(公告)号: | CN110437832B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 夏志国;乔建伟;杨至雨 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | C09K11/79 | 分类号: | C09K11/79;H01L33/50 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;隆翔鹰 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 eu base sup | ||
1.一种Eu2+掺杂的硅酸盐近红外荧光粉,其特征在于,所述近红外荧光粉的化学通式为K3LuSi2O7:xEu2+,yMgO,0x≤0.10,0≤y≤0.40,且以Eu2+为发光中心。
2.权利要求1所述的Eu2+掺杂的硅酸盐近红外荧光粉的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)按化学通式K3LuSi2O7:xEu2+,yMgO的化学计量比称取原料,并充分研细混匀,得到原料混合物;
2)将步骤1)得到的原料混合物在还原气氛的高温炉中煅烧,从而得到烧结体;
3)将步骤2)得到的烧结体研磨成粉末,得到所述近红外光荧光粉。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述原料为钾、镥、镁、硅以及铕的单质、氧化物、氯化物、硫化物、碳酸盐、硫酸盐、磷酸盐或硝酸盐。
4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,采用CO或者H2和N2的混合气体作为还原气氛。
5.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中,煅烧温度为1200-1350℃,煅烧时间为4-8h。
6.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤3)中,研磨时间为5min-2h。
7.一种转换型LED发光装置,其特征在于,包括封装基板、LED芯片和权利要求1所述的近红外荧光粉,所述近红外荧光粉能够吸收LED芯片发光并释放出近红外光。
8.根据权利要求7所述的转换型LED发光装置,其特征在于,所述LED芯片为近紫外或蓝光LED芯片。
9.根据权利要求7所述的转换型LED发光装置,其特征在于,所述LED芯片为InGaN或GaN半导体芯片。
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