[发明专利]沟槽MOSFET接触件

权利要求书

1.一种器件的接触结构，所述接触结构包括：

分离沟槽，所述分离沟槽限定在半导体区内；

有源区域，所述有源区域设置在所述分离沟槽的第一侧上；

栅极接触区域，所述栅极接触区域设置在所述分离沟槽的第二侧上；

第一类型的多个沟槽，所述第一类型的多个沟槽设置在所述半导体区的所述有源区域中，所述第一类型的所述多个沟槽中的每个垂直于所述分离沟槽对准并且具有终止在所述分离沟槽处的第一纵向端部，所述第一类型的所述多个沟槽中的每个具有平行于所述分离沟槽对准的宽度；和

第二类型的多个沟槽，所述第二类型的多个沟槽设置在所述半导体区的所述栅极接触区域中，所述第二类型的所述多个沟槽中的每个垂直于所述分离沟槽对准并且具有终止在所述分离沟槽处的第一纵向端部，所述第二类型的所述多个沟槽中的每个具有平行于所述分离沟槽对准的宽度，

其中每单位长度的所述分离沟槽在终止于所述分离沟槽的所述第二侧上的所述栅极接触区域中的所述第二类型的所述多个沟槽的数量小于每单位长度的所述分离沟槽在终止于所述分离沟槽的所述第一侧上的所述有源区域中的所述第一类型的所述多个沟槽的数量，其中在所述有源区域中形成在所述第一类型的一对沟槽之间的有源区域台面的宽度与在所述栅极接触区域中形成在所述第二类型的一对所述沟槽之间的栅极接触区域台面的宽度相同。

2.根据权利要求1所述的接触结构，其中在所述栅极接触区域中形成在所述第二类型的所述多个沟槽之间的栅极接触区域台面的数量与在所述有源区域中形成在所述第一类型的所述多个沟槽之间的有源区域台面的数量的比率小于1，并且具有与所述有源区域中的所述有源区域台面的宽度相同的宽度的所述栅极接触区域台面包括P高电压(PHV)体区。

3.根据权利要求1所述的接触结构，其中器件源极暴露在所述有源区域台面中并且耦接到在所述半导体区的所述有源区域上方延伸的源极接触导电层，其中器件体区暴露在所述栅极接触区域台面中并且耦接到在所述半导体区的所述栅极接触区域上方延伸的所述源极接触导电层的一部分，并且其中栅极电极设置在所述第二类型的所述沟槽中的一个中并且耦接到在所述半导体区的所述栅极接触区域上方延伸的栅极接触导电层，并且其中设置在所述第二类型的所述沟槽中的所述一个中的所述栅极电极从所述有源区域延伸，并且具有与所述有源区域中的栅极电极相同的栅极多晶硅和栅极氧化物结构。

4.根据权利要求1所述的接触结构，其中：

所述第一类型的所述多个沟槽以第一单元节距包括在源极接触单元的阵列中，所述源极接触单元中的每个包括所述第一类型的所述多个沟槽中的一个以及相邻的有源区域台面；并且

所述第二类型的所述多个沟槽以第二单元节距布置为栅极接触单元的阵列，每个单元包括所述第二类型的所述多个沟槽中的一个以及一个邻接的栅极接触台面，所述第二单元节距大于所述第一单元节距。

5.根据权利要求1所述的接触结构，其中垂直于所述分离沟槽对准并且具有终止在所述分离沟槽处的第一纵向端部的所述第二类型的所述多个沟槽中的每个具有终止在平行于所述分离沟槽的栅极终止沟槽处的第二纵向端部。

6.根据权利要求5所述的接触结构，其中所述栅极终止沟槽被配置成建立到所述器件的外部栅极馈电。

7.根据权利要求1所述的接触结构，其中设置在所述半导体区的所述栅极接触区域中并且从所述分离沟槽延伸的所述第二类型的沟槽包括跨过所述半导体区的屏蔽区段延伸的栅极流道沟槽节段，并且其中跨过所述屏蔽区段延伸的所述栅极流道沟槽节段被配置为用于所述屏蔽区段的任一侧上的器件栅极的内部栅极馈电机构。