[发明专利]半导体装置以及该半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

位线；

源极线；

联接在所述位线和所述源极线之间的多个存储器串，其中，所述多个存储器串中的每一个包括：

至少一个漏极选择晶体管；

多个存储器单元；

至少一个源极选择晶体管；以及

联接在所述位线和所述漏极选择晶体管之间或所述源极线和所述源极选择晶体管之间的虚拟晶体管；

外围电路，该外围电路被配置为通过对联接到所述存储器串的虚拟晶体管的虚拟线施加偏压来对所述存储器串执行擦除操作、编程操作或读操作；以及

控制逻辑，该控制逻辑被配置为控制所述外围电路，其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以根据所述虚拟晶体管的阈值电压向所述虚拟线施加具有不同电平的偏压。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述存储器串包括具有第一虚拟晶体管的第一存储器串和具有第二虚拟晶体管的第二存储器串，该第一虚拟晶体管具有第一阈值电压，该第二虚拟晶体管具有低于所述第一阈值电压的第二阈值电压，并且

其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路，使得施加到联接到所述第二虚拟晶体管的第二虚拟线的偏压低于施加到联接到所述第一虚拟晶体管的第一虚拟线的偏压。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述存储器串包括具有第一虚拟晶体管的第一存储器串和具有第二虚拟晶体管的第二存储器串，该第一虚拟晶体管具有第一阈值电压，该第二虚拟晶体管具有高于所述第一阈值电压的第二阈值电压，并且

其中，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路，使得施加到联接到所述第二虚拟晶体管的第二虚拟线的偏压高于施加到联接到所述第一虚拟晶体管的第一虚拟线的偏压。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在擦除操作期间：

当所述虚拟晶体管的阈值电压等于基准值时，接地电压被施加到联接到所述虚拟晶体管的虚拟线；

当所述虚拟晶体管的阈值电压大于所述基准值时，正电压被施加到联接到所述虚拟晶体管的所述虚拟线；并且

当所述虚拟晶体管的阈值电压低于所述基准值时，负电压被施加到联接到所述虚拟晶体管的所述虚拟线。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在编程操作期间：

当所述虚拟晶体管的阈值电压等于基准值时，没有施加偏移的导通电压被施加到联接到所述虚拟晶体管的虚拟线；

当所述虚拟晶体管的阈值电压大于所述基准值时，施加有正偏移的导通电压被施加到联接到所述虚拟晶体管的所述虚拟线；并且

当所述虚拟晶体管的阈值电压低于所述基准值时，施加有负偏移的导通电压被施加到联接到所述虚拟晶体管的所述虚拟线。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在读操作期间：

当所述虚拟晶体管的阈值电压等于基准值时，没有施加偏移的导通电压或截止电压被施加到联接到所述虚拟晶体管的虚拟线，

当所述虚拟晶体管的阈值电压大于所述基准值时，施加有正偏移的导通电压或截止电压被施加到联接到所述虚拟晶体管的所述虚拟线，并且

当所述虚拟晶体管的阈值电压低于所述基准值时，施加有负偏移的导通电压或截止电压被施加到联接到所述虚拟晶体管的所述虚拟线。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述读操作是验证操作。