[发明专利]三维铁电NOR型存储器

权利要求书

1.一种系统，包括：

衬底；

第一字线、第二字线和第三字线；

第一层、第二层和第三层，其中，所述第一层位于所述衬底和所述第一字线之间，所述第二层位于所述第一字线和所述第二字线之间，并且所述第三层位于所述第二字线和所述第三字线之间；

材料的第一部分、第二部分和第三部分，其中，所述材料的第一部分位于所述第一字线和所述第一层之间，所述材料的第二部分位于所述第二字线和所述第二层之间，并且所述材料的第三部分位于所述第三字线和所述第三层之间；

所述材料的第一部分、第二部分和第三部分上的单片半导体层；

位线，具有长轴和短轴；

其中，所述第一层包括金属，所述第二层包括所述金属，所述第三层包括所述金属；

其中，所述材料包括氧，以及铪、硅、钇、锆、钡、钛、铅或其组合中的至少一种；

其中，(a)平行于所述短轴的第一平面与所述第一层、所述半导体层和所述位线相交；(b)平行于所述短轴的第二平面与所述第二层、所述半导体层和所述位线相交；(c)平行于所述短轴的第三平面与所述第三层、所述半导体层和所述位线相交。

2.根据权利要求1所述的系统，包括NOR逻辑门，其中：

所述NOR逻辑门包括所述材料的第一部分、第二部分和第三部分；并且

所述NOR逻辑门包括所述半导体层。

3.根据权利要求1-2中的任一项所述的系统，包括：

第一轴，其平行于所述长轴，所述第一轴与所述第一字线、所述第二字线和所述第三字线以及所述材料的第一部分、第二部分和第三部分相交；

第二轴，其平行于所述长轴，所述第二轴与所述第一层、所述第二层和所述第三层相交；

其中，所述第一轴不与所述第一层、所述第二层或所述第三层中的任何一个相交。

4.根据权利要求3所述的系统，其中，所述第二轴与所述第一字线、所述第二字线和所述第三字线以及所述材料的第一部分、第二部分和第三部分相交。

5.根据权利要求4所述的系统，其中，所述第一轴与所述半导体层相交。

6.根据权利要求4所述的系统，包括开关器件，其中：

所述开关器件包括源极、沟道和漏极；

所述源极包括所述半导体层；

所述沟道包括所述半导体层；

所述漏极包括所述半导体层；

栅极，其对应于所述沟道，所述栅极包括所述第一字线的一部分；

源极触点，其对应于所述源极，所述源极触点包括所述第一层的一部分；

漏极触点，其对应于所述漏极，所述漏极触点包括所述位线的一部分。

7.根据权利要求6所述的系统，包括另外的开关器件，其中：

所述另外的开关器件包括另外的源极、另外的沟道和另外的漏极；

所述另外的源极包括所述半导体层；

所述另外的沟道包括所述半导体层；

所述另外的漏极包括所述半导体层；

另外的栅极，其对应于所述另外的沟道，所述另外的栅极包括所述第二字线的一部分；

另外的源极触点，其对应于所述另外的源极，所述另外的源极触点包括所述第二层的一部分；

另外的漏极触点，其对应于所述另外的漏极，所述另外的漏极触点包括所述位线的另外部分；

其中，所述第一轴与所述开关器件和所述另外的开关器件相交；

其中，所述开关器件和所述另外的开关器件彼此并联耦合到所述位线。

8.根据权利要求6所述的系统，包括第一存储器单元和第二存储器单元，其中：

所述第一存储器单元包括所述开关器件；

所述第二存储器单元不包括所述开关器件；

所述第一存储器单元和所述第二存储器单元包括在随机存取存储器(RAM)中；

能够独立于所述第二存储器单元寻址所述第一存储器单元。