[发明专利]使用自底向上方法的具有减少填充的沟道结构的全环绕栅极集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，其包括：

在衬底上方的纳米线的第一垂直布置和纳米线的第二垂直布置，所述纳米线的第一垂直布置具有比所述纳米线的第二垂直布置更大数量的纳米线，所述纳米线的第一垂直布置具有与所述纳米线的第二垂直布置的最上面的纳米线共面的最上面的纳米线，以及所述纳米线的第一垂直布置具有在所述纳米线的第二垂直布置中的最底部的纳米线下方的最底部的纳米线；

在所述纳米线的第一垂直布置之上的第一栅极堆叠；以及

在所述纳米线的第二垂直布置之上的第二栅极堆叠。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述纳米线的第一垂直布置的纳米线具有与所述纳米线的第二垂直布置的纳米线的水平宽度相同的水平宽度。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述纳米线的第一垂直布置的纳米线的水平宽度大于所述纳米线的第二垂直布置的纳米线的水平宽度。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中所述纳米线的第一垂直布置的纳米线的水平宽度小于所述纳米线的第二垂直布置的纳米线的水平宽度。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的集成电路结构，进一步包括：

在所述纳米线的第一垂直布置的末端处的第一外延源极或漏极结构；以及

在所述纳米线的第二垂直布置的末端处的第二外延源极或漏极结构。

6.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中所述第一和第二外延源极或漏极结构是分立的第一和第二外延源极或漏极结构。

7.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中所述第一和第二外延源极或漏极结构是非分立的第一和第二外延源极或漏极结构。

8.根据权利要求5所述的集成电路结构，其中所述第一栅极堆叠具有电介质侧壁间隔件，并且所述第一外延源极或漏极结构是在所述第一栅极堆叠的电介质侧壁间隔件下方延伸的第一嵌入外延源极或漏极结构，并且其中所述第二栅极堆叠具有电介质侧壁间隔件，并且所述第二外延源极或漏极结构是在所述第二栅极堆叠的电介质侧壁间隔件下方延伸的第二嵌入外延源极或漏极结构。

9.根据权利要求5所述的集成电路结构，进一步包括：

第一对导电接触结构，其耦合到所述第一外延源极或漏极结构；以及

第二对导电接触结构，其耦合到所述第二外延源极或漏极结构。

10.根据权利要求9所述的集成电路结构，其中所述第一和第二对导电接触结构中的至少一个是不对称的导电接触结构对。

11.根据权利要求1、2、3或4所述的集成电路结构，其中所述纳米线的第一垂直布置在第一鳍之上，并且所述纳米线的第二垂直布置在第二鳍之上。

12.根据权利要求11所述的集成电路结构，其中所述第一鳍具有在所述第二鳍的上表面上方的上表面。

13.根据权利要求1、2、3或4所述的集成电路结构，进一步包括：

栅极端帽隔离结构，其位于所述第一栅极堆叠与所述第二栅极堆叠之间并且与之接触。

14.根据权利要求1、2、3或4所述的集成电路结构，其中所述第一和第二栅极堆叠均包括高k栅极电介质层和金属栅极电极。

15.一种制造集成电路结构的方法，所述方法包括：

在衬底上方形成纳米线的第一垂直布置和纳米线的第二垂直布置，所述纳米线的第一垂直布置具有与所述纳米线的第二垂直布置相同数量的纳米线；

在所述纳米线的第一垂直布置之上形成第一栅极堆叠，并且在所述纳米线的第二垂直布置之上形成第二栅极堆叠；以及

从所述纳米线的第二垂直布置移除最底部的纳米线，而不从所述纳米线的第一垂直布置移除最底部的纳米线。