[发明专利]用于晶片平坦化的方法和通过其制造的图像传感器

权利要求书

1.一种晶片平坦化方法，包括：

在具有芯片区域和划线区域的基板上形成第二绝缘层和抛光层；

在所述芯片区域和所述划线区域中的所述抛光层中形成第一通孔并且在所述芯片区域中的所述第二绝缘层中形成第二通孔，其中所述第二通孔与所述第一通孔在所述芯片区域中相接；

在所述第一通孔和所述第二通孔内以及在所述抛光层的上表面上形成焊盘金属层；和

通过化学机械抛光(CMP)工艺抛光所述抛光层和所述焊盘金属层，以暴露所述芯片区域和所述划线区域中的所述第二绝缘层的上表面。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一通孔包括：

使用形成在所述抛光层的所述上表面上的第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模在所述抛光层中形成所述第一通孔；

在所述抛光层的所述上表面上和所述第一通孔内沉积牺牲层，并在所述牺牲层的上表面上形成第二光致抗蚀剂图案；

使用所述第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，形成穿过所述芯片区域的所述牺牲层和所述第二绝缘层的所述第二通孔；和

去除所述第二光致抗蚀剂图案和所述牺牲层以暴露所述划线区域中的所述第一通孔。

3.如权利要求1所述的方法，还包括：

在所述第一通孔和所述第二通孔内以及所述抛光层的所述上表面上形成防扩散层和在所述防扩散层与所述焊盘金属层之间的焊盘籽晶层，

其中通过所述化学机械抛光工艺抛光所述抛光层和所述焊盘金属层包括：

去除在所述抛光层的所述上表面上形成的焊盘金属层；和

去除所述抛光层以及位于所述第一通孔和所述第二通孔内的所述焊盘金属层。

4.如权利要求3所述的方法，其中在与所述划线区域中的所述第一通孔对应的位置处在所述第二绝缘层中形成绝缘凹槽。

5.如权利要求1所述的方法，还包括在所述化学机械抛光工艺期间在所述第二绝缘层的所述上表面上形成氧化物层。

6.如权利要求1所述的方法，其中形成在所述芯片区域中的所述第一通孔和形成在所述划线区域中的所述第一通孔具有相同的孔密度。

7.如权利要求1所述的方法，其中形成在所述芯片区域中的所述第一通孔和形成在所述划线区域中的所述第一通孔具有相同的俯视图和相同的分隔距离。

8.如权利要求1所述的方法，其中形成在所述芯片区域中的所述第一通孔和形成在所述划线区域中的所述第一通孔具有不同的俯视图和相同的孔密度。

9.如权利要求1所述的方法，其中形成在所述芯片区域中的所述第一通孔和形成在所述划线区域中的所述第一通孔具有不同形状的垂直截面积和相同的孔密度。

10.如权利要求1所述的方法，其中形成所述第一通孔和所述第二通孔包括：

使用形成在所述抛光层的所述上表面上的第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，在所述芯片区域的所述抛光层中形成所述第一通孔以及在所述第二绝缘层中形成所述第二通孔；

在所述抛光层的所述上表面上以及所述第一通孔和所述第二通孔内沉积牺牲层，并在所述牺牲层的上表面上形成第二光致抗蚀剂图案；

使用所述第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，在所述划线区域中的所述抛光层中形成所述第一通孔；和

去除所述第二光致抗蚀剂图案和所述牺牲层以暴露所述芯片区域中的所述第一通孔和所述第二通孔。

11.如权利要求10所述的方法，还包括在所述第一通孔和所述第二通孔内以及所述抛光层的所述上表面上形成防扩散层和在所述防扩散层与所述焊盘金属层之间的焊盘籽晶层。

12.如权利要求10所述的方法，其中通过所述化学机械抛光工艺抛光所述抛光层和所述焊盘金属层包括：

去除形成在所述抛光层的所述上表面上的焊盘金属层；和

去除所述抛光层和位于所述第一通孔和所述第二通孔内的所述焊盘金属层。