[发明专利]二维导电金属有机化合物阵列、制备方法和应用

权利要求书

1.一种二维导电金属有机化合物阵列，其特征在于，它包括作为载体的三维基底，及其在三维基底上生长的二维导电金属有机化合物纳米片，其中，

当三维基底为泡沫镍时，导电纳米片为镍、镍铁、镍锰、镍钴、镍钽和2, 5-噻吩二羧酸的金属有机化合物纳米片；

当三维基底为泡沫铁时，导电纳米片为镍铁、铁锰、铁钴、铁铋和2, 5-噻吩二羧酸的金属有机化合物纳米片；

当三维基底为泡沫铜时，导电纳米片为铜铋和2, 5-噻吩二羧酸的金属有机化合物纳米片;

由如下步骤制备：

步骤一，将2, 5-噻吩二羧酸配体和金属盐溶解于乙醇中，形成溶液；

步骤二，将三维基底置于步骤一所述溶液中，在一定温度和压力的密闭容器中进行反应；

步骤三，将得到的产物洗涤、干燥，得到二维导电金属有机化合物阵列材料；

其中，导电纳米片的导电性介于23~43 S·m^-1。

2.如权利要求1所述的阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，将2, 5-噻吩二羧酸配体和金属盐溶解于乙醇中，形成溶液；

步骤二，将三维基底置于步骤一所述溶液中，在一定温度和压力的密闭容器中进行反应；

步骤三，将得到的产物洗涤、干燥，得到二维导电金属有机化合物阵列材料。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，当三维基底为泡沫镍时，金属盐选自镍的可溶性盐，或者金属盐选自铁、锰、钴、钽中任意一种金属和镍的可溶性盐。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，当三维基底为泡沫铁时，金属盐选自镍、锰、钴、铋中任意一种金属和铁的可溶性盐。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，当三维基底为泡沫铜时，金属盐为铋和铜的可溶性盐。

6.如权利要求2所述的方法，其特征在于，反应温度为100~150^oC，时间为6~72 h。

7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，以2*2.8cm²的三维基底计，添加1mg·mL^-1以上的2, 5-噻吩二羧酸配体。

8.如权利要求1所述的阵列在电催化反应领域的应用。

9.如权利要求8所述的应用，其特征在于，所述的电催化反应包括氧析出反应和氢析出反应。