[发明专利]制造半导体装置的方法以及光刻胶在审
| 申请号： | 201910800718.1 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN111863601A | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 郭宏瑞;李明潭;李兴杰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/66;G03F7/004;G03F7/039 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 装置 方法 以及 光刻 | ||
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底之上施加光刻胶，所述光刻胶包含检测添加剂；
对所述光刻胶进行曝光及显影；以及
在对所述光刻胶进行显影之后检查所述光刻胶，其中所述检测添加剂在所述检查所述光刻胶期间发荧光。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测添加剂是姜黄色素。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检查所述光刻胶包括将激光引导至所述光刻胶处。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测添加剂在所述光刻胶内的浓度在0.01重量％与0.03重量％之间。
5.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：
将光刻胶聚合物树脂放置在光刻胶溶剂中；
将光酸产生剂放置在所述光刻胶溶剂中；
将姜黄色素放置在所述光刻胶溶剂中；以及
混合所述光刻胶聚合物树脂、所述光酸产生剂、所述姜黄色素以及所述光刻胶溶剂以形成光刻胶。
6.根据权利要求5所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，还包括：将所述光刻胶分配到半导体衬底上。
7.根据权利要求6所述的制造半导体装置的方法，其特征在于，还包括：
对所述光刻胶进行显影；以及
在对所述光刻胶进行显影之后检查所述光刻胶。
8.一种光刻胶，其特征在于，包括：
光刻胶聚合物树脂；
光活性化合物；以及
检测添加剂，其中所述检测添加剂在所述光刻胶内的浓度在0.01重量％与0.03重量％之间。
9.根据权利要求8所述的光刻胶，其特征在于，所述检测添加剂是姜黄色素。
10.根据权利要求8所述的光刻胶，其特征在于，所述光刻胶是正性光刻胶。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
