[发明专利]具有渐变结深的芯片终端结构及其制造方法

权利要求书

1.一种具有渐变结深的芯片终端结构，其特征在于，所述芯片终端结构围绕器件区设置，所述芯片终端结构包括JTE区和多个环区，所述JTE区和所述多个环区设置在半导体层，所述半导体层具有第一导电类型并且包括第一面和与第一面相对的第二面，所述JTE区和所述多个环区具有第二导电类型并且从所述第一面朝向所述第二面的方向延伸，沿所述器件区朝向所述芯片终端结构的方向，所述多个环区中每个环区的结深逐渐减小。

2.根据权利要求1所述的芯片终端结构，其特征在于，沿所述器件区朝向所述芯片终端结构的方向，所述JTE区的结深逐渐减小。

3.根据权利要求1或2所述的芯片终端结构，其特征在于，沿所述器件区朝向所述芯片终端结构的方向，所述多个环区中每个环区的结深由1.0um逐渐减小至零。

4.根据权利要求1或2所述的芯片终端结构，其特征在于，所述多个环区中每个环区的截面轮廓呈三角形或梯形。

5.根据权利要求1或2所述的芯片终端结构，其特征在于，所述多个环区中每个环区的结深的最大值在0.6um至2.0um范围。

6.根据权利要求1或2所述的芯片终端结构，其特征在于，所述多个环区中每个环区的结深的最大值等于所述JTE区的结深的最大值。

7.根据权利要求1或2所述的芯片终端结构，其特征在于，所述第一导电类型是n型，所述第二导电类型是p型。

8.一种具有渐变结深的芯片终端结构，其特征在于,所述芯片终端结构围绕器件区设置，所述芯片终端结构包括JTE区和多个环区，所述JTE区和所述多个环区设置在半导体层，所述半导体层具有第一导电类型并且包括第一面和与第一面相对的第二面，所述JTE区和所述多个环区具有第二导电类型并且从所述第一面朝向所述第二面的方向延伸，沿所述器件区朝向所述芯片终端结构的方向,所述JTE区的结深逐渐减小。

9.根据权利要求8所述的芯片终端结构，其特征在于，所述JTE区的结深由1.0um逐渐减小至零。

10.一种用于制造具有渐变结深的芯片终端结构的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一导电类型的半导体层；

在所述半导体层上形成硬模；

对所述硬模进行图案化处理以得到图案化的硬模，所述图案化的硬模包括多个硬模透明区，每个硬模透明区包括厚度渐变的硬模；以及

利用所述图案化的硬模作为掩模进行第二导电类型的离子注入，在所述半导体层中形成结深渐变的多个环区。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：利用所述图案化的硬模作为掩模进行第二导电类型的离子注入，在所述半导体层中形成结深渐变的JTE区。

12.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，在所述半导体层上形成硬模的步骤包括：通过在所述半导体层上沉积等离子体增强原硅酸四乙酯形成所述硬模。

13.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，在所述半导体层上形成硬模的步骤包括：通过在所述半导体层上沉积氧化物层形成所述硬模。

14.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，对所述硬模进行图案化处理的步骤包括：

在所述硬模上形成光致抗蚀剂层；

对所述光致抗蚀剂层进行处理以得到多个窗口区，每个窗口区包括多个开口区和岛区，相邻的开口区被岛区隔开，沿一定方向，所述多个开口区中每个开口区的宽度逐渐减小；以及

通过所述多个窗口区，对所述硬模进行湿法蚀刻，以得到所述图案化的硬模。