[发明专利]一种保护膜框架及其制备方法及保护膜组件

说明书

本发明提供一种保护膜框架及其制备方法及保护膜组件，保护膜框架包括框架结构以及包覆在框架结构表面的包覆层，包覆层包括铬层或者二氧化钛层。包覆层包覆在框架结构的表面，因此将框架结构中的酸根/氨根离子(SO₄^2‑、PO₄^3‑及NH⁴⁺)包裹住，使其与外界隔绝，从而杜绝上述酸根/氨根离子(SO₄^2‑、PO₄^3‑及NH⁴⁺)在光刻机曝光中或曝光后存放期间释出，进而避免光掩膜版不定时产生白雾状(Haze)。上述保护膜框架避免了光掩膜版产生白雾状，因此能够有效避免有白雾的光掩膜版在成基片的重复性缺陷，进而可以提高基片的良率。

技术领域

本发明涉及集成电路制备技术领域，具体涉及一种保护膜框架及其制备方法及保护膜组件。

背景技术

在集成电路IC(Integrated Circuit)，大尺寸集成电路LSI(Large ScaleIntegration)等的半导体集成电路或液晶显示器LCD(Liquid CrystalDisplay)等的液晶显示装置的制造时，通常采用曝光工艺光刻进行图案制作。用于光刻的光掩膜版上贴合有保护膜框架及支撑保护膜的保护膜框架。现有技术中，保护膜框架通过采用铝板依照光刻机需求尺寸大小进行切割加工后在以化学阳极处理方式进行框架表面细化及染色处理。染色处理后的框架表面通常会残留酸根/氨根离子(SO₄^2-、PO₄^3-及NH⁴⁺)。这些残留的酸根/氨根离子在光刻过程中会造成一系列的问题，例如：

在光刻机曝光中或曝光后存放期间，保护膜框架会释出上述酸根/氨根离子，污染光掩膜版，导致光掩膜版不定时产生白雾状(Haze)；

产生白雾状的掩膜版必须拆除保护膜、清洗光掩膜板并更换新的保护膜，然后对光掩膜版缺陷检验，严重的可能导致光掩膜版报废；

曝光中的基片会因为光掩模版的Haze造成重复性缺陷，严重影响基片的良率。

发明内容

针对现有技术中光刻掩膜版的保护膜框架存在的上述缺陷及不足，本发明提供一种保护膜框架及其制备方法及保护膜组件。该保护膜框架包括框架结构以及包覆在框架结构表面的包覆层，该包覆层由铬或者二氧化钛形成。通过在框架结构的表面形成该包覆层，能够抑制框架结构中残留酸根/氨根离子(SO₄^2-、PO₄^3-及NH⁴⁺)的释出，从而防止光掩模版出现白雾状，防止因此影响曝光中的基片的良率。

根据本发明的第一方面，本发明提供了一种保护膜框架，包括：

框架结构，所述框架结构用于支撑光掩膜的保护膜；以及

包覆在所述框架结构表面的包覆层，所述包覆层包括阻隔所述框架结构中的酸根粒子和/或氨根离子释出的金属层或者金属氧化物层。

可选地，所述包覆层的金属层包括铬层。

可选地，所述包覆层的金属氧化物层包括二氧化钛层。

可选地，所述包覆层的厚度介于0.1μm～0.5μm。

可选地，所述包覆层的厚度为0.4μm。根据本发明的第二方面，本发明提供了一种保护膜框架的制备方法，包括以下步骤：

采用阳极化工艺对框架结构进行着色；

对着色后的所述框架结构进行清洗并干燥；

在清洗并干燥后的所述框架结构的表面形成包覆所述框架结构的包覆层，其中所述包覆层包括阻隔所述框架结构中的酸根粒子和/或氨根离子释出的金属层或者金属氧化物层。