[发明专利]一种氧化镓基场效应晶体管在审
| 申请号： | 201910802269.4 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110473906A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 苏杰;张君敬;常晶晶;林珍华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/41;H01L29/78 |
| 代理公司： | 61223 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 徐云侠<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化镓 沟道层 层状材料 界面修饰 二维 绝缘层 场效应晶体管 介质层 源漏区 电极 衬底 载流子注入效率 电极接触电阻 半导体电子 接触电阻 接触特性 表面氧 悬挂键 栅电极 金属 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化镓基场效应晶体管，包括衬底(1)，所述衬底(1)上部设有绝缘层(2)，所述绝缘层(2)上部设有氧化镓沟道层(3)，所述氧化镓沟道层(3)上部两端分别设有二维层状材料界面修饰层(4)，两端的所述二维层状材料界面修饰层(4)上部分别设有源漏区电极(5)，所述氧化镓沟道层(3)上部在两个所述源漏区电极(5)之间设有介质层(6)，所述介质层(6)上部设有栅电极(7)。
2.根据权利要求1所述的氧化镓基场效应晶体管，其特征在于，所述二维层状材料界面修饰层(4)中的二维层状材料为六方氮化硼、石墨烯、黑磷和过渡金属硫族化合物中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的氧化镓基场效应晶体管，其特征在于，所述二维层状材料界面修饰层(4)的厚度为1～5nm。
4.根据权利要求1所述的氧化镓基场效应晶体管，其特征在于，所述衬底(1)为硅衬底。
5.根据权利要求4所述的氧化镓基场效应晶体管，其特征在于，所述绝缘层(2)为生长在所述衬底(1)表面的SiO2薄膜。
6.根据权利要求1所述的氧化镓基场效应晶体管，其特征在于，所述源漏区电极(5)和栅电极(7)分别为金属导电材料。
7.根据权利要求1所述的氧化镓基场效应晶体管，其特征在于，所述介质层(6)为Al2O3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910802269.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
