[发明专利]氧化层形成方法、半导体器件的制作方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201910802725.5 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112447497A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 张黎 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 形成 方法 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种氧化层形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
基于第一加热温度和第一压力对所述半导体衬底进行第一次热氧化处理，以在所述半导体衬底上形成第一子氧化层；
基于第二加热温度和第二压力对所述半导体衬底进行第二次热氧化处理，以在所述第一子氧化层上形成第二子氧化层；
其中，所述第二加热温度小于所述第一加热温度，所述第一压力小于或大于所述第二压力。
2.根据权利要求1所述的氧化层形成方法，其特征在于，所述第一加热温度为950℃至1100℃；所述第二加热温度为800℃至950℃。
3.根据权利要求1所述的氧化层形成方法，其特征在于，所述第一压力和所述第二压力中的一者为1Torr至7Torr，另一者为7Torr至20Torr。
4.根据权利要求1所述的氧化层形成方法，其特征在于，所述第一子氧化层的厚度大于所述第二子氧化层的厚度。
5.根据权利要求4所述的氧化层形成方法，其特征在于，所述第一子氧化层的厚度占所述第一子氧化层和所述第二子氧化层厚度总和的60％至80％，所述第二子氧化层的厚度占所述第一子氧化层和所述第二子氧化层厚度总和的20％至40％。
6.根据权利要求1所述的氧化层形成方法，其特征在于，所述第一次热氧化处理和所述第二次热氧化处理均包括原位蒸汽氧化制程，所述原位蒸汽氧化制程中反应气体包括氢气和含氧气体。
7.根据权利要求6所述的氧化层形成方法，其特征在于，所述含氧气体包括氧气、一氧化氮气体或一氧化二氮气体。
8.根据权利要求6所述的氧化层形成方法，其特征在于，所述反应气体中氢气的浓度为1％至33％。
9.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
基于第一加热温度和第一压力对所述半导体衬底进行第一次热氧化处理，以在所述半导体衬底上形成第一子氧化层；
基于第二加热温度和第二压力对所述半导体衬底进行第二次热氧化处理，以在所述第一子氧化层上形成第二子氧化层；
在所述第二子氧化层上形成半导体元件；
其中，所述第二加热温度小于所述第一加热温度，所述第一压力小于或大于所述第二压力。
10.一种半导体器件，其特征在于，采用权利要求9所述的半导体器件的制作方法制作而成。
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