[发明专利]一种太阳能电池片及其制作方法

说明书

本申请公开了太阳能电池片的制作方法，包括：在第一温度和预设压强下，在表面具有损伤层的硅片的表面形成二氧化硅层，得到处理后硅片；将处理后硅片在第二温度下恒温预设时间，并进行冷却处理，得到冷却后硅片；去除位于冷却后硅片的表面的二氧化硅层和损伤层，得到硅片基体；在硅片基体的上表面形成扩散层；在扩散层的上表面形成隧穿层；在硅片基体的下表面形成钝化层；在钝化层的下表面形成氮化硅层；在隧穿层的上表面形成减反层；分别在减反层的上表面、氮化硅层的下表面形成电极。本申请中的方法使硅片基体中杂质含量明显减少，提高少子寿命，从而提高太阳能电池的光电转换效率。本申请还提供一种具有上述优点的太阳能电池。

技术领域

本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及一种太阳能电池片及其制作方法。

背景技术

随着能源与环境的危机日益严重，太阳能作为一种储量无限、使用免费的绿色环保能源成为世界各国的研究热点。

太阳能电池是一种可以将太阳能转换为电能的器件，目前太阳能电池大部分都是由硅片制得的，硅片由硅棒切割得到，在硅棒的铸锭过程中不可避免的会有杂质残留在硅棒体内，从而使得硅片内含有一定浓度的杂质，杂质的存在会影响硅片少子的寿命，且杂质浓度越高少子寿命越低，硅片少子寿命低意味着太阳能电池的光电转换效率低，太阳能电池的开路电压和短路电流低，即太阳能电池的品质差。

因此，如何降低硅片中杂质的浓度，提升太阳能电池的光电转换效率是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种太阳能电池片及其制作方法，以提升太阳能电池片的光电转换效率。

为解决上述技术问题，本申请提供一种太阳能电池片的制作方法，包括：

在第一温度和预设压强下，在表面具有损伤层的硅片的表面形成二氧化硅层，得到处理后硅片；

将所述处理后硅片在第二温度下恒温预设时间，并进行冷却处理，得到冷却后硅片；

去除位于所述冷却后硅片的表面的所述二氧化硅层和所述损伤层，得到硅片基体；

在所述硅片基体的上表面形成扩散层；

在所述扩散层的上表面形成隧穿层；

在所述硅片基体的下表面形成钝化层；

在所述钝化层的下表面形成氮化硅层；

在所述隧穿层的上表面形成减反层；

分别在所述减反层的上表面、所述氮化硅层的下表面形成电极。

可选的，当所述硅片为单晶硅片时，所述去除位于所述冷却后硅片的表面的所述二氧化硅层和所述损伤层，得到硅片基体包括：

对所述冷却后硅片进行酸清洗，得到去除所述二氧化硅层的清洗后硅片；

对所述清洗后硅片进行制绒，得到所述硅片基体。

可选的，当所述硅片为多晶硅片时，所述去除位于所述冷却后硅片的表面的所述二氧化硅层和所述损伤层，得到硅片基体包括：

对所述冷却后硅片进行制绒，得到所述硅片基体。

可选的，所述第一温度的取值范围为600℃至750℃，包括端点值。

可选的，所述第二温度的取值范围为850℃至950℃，包括端点值。

可选的，所述在所述扩散层的上表面形成隧穿层包括：

利用高温热氧氧化法或浓硝酸法或臭氧法，在所述扩散层的上表面形成所述隧穿层。

可选的，在所述在第一温度和预设压强下，在表面具有损伤层的硅片的表面形成二氧化硅层，得到处理后硅片之前，还包括：