[发明专利]芴并吩嗪衍生物及其制备方法与OLED器件在审

专利信息
申请号: 201910802835.1 申请日: 2019-08-28
公开(公告)号: CN110526874A 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 罗佳佳 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: C07D241/38 分类号: C07D241/38;C07D403/10;C07D401/10;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 代理人: 黄威<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 空穴传输材料 空穴传输性能 吩嗪衍生物 外量子效率 电流效率 芳胺基团 高迁移率 吩嗪 芴基 制备 搭配
【权利要求书】:

1.一种芴并吩嗪衍生物,其特征在于,所述芴并吩嗪衍生物具有通式(1)所示的结构:

其中,R1为C12-30的芳胺基,

R2为C1-10的烷基或C6-20的芳基,

n为0、1、2、3或4,且当n为2、3或4时,多个R2相同或不相同。

2.如权利要求1所述的芴并吩嗪衍生物,其特征在于,所述R1选自如下结构式中任意一种:

3.如权利要求1或2所述的芴并吩嗪衍生物,其特征在于,所述R2选自甲基、乙基、丙基、丁基、苯基、联苯基、萘基与蒽基中的至少一者。

4.一种芴并吩嗪衍生物的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1:向反应装置中加入第一反应物、第二反应物、钯催化剂与有机膦配体,然后在无水无氧环境中加入碱,所述第一反应物、第二反应物、钯催化剂、有机膦配体与碱的摩尔比为1:(1-1.5):(0.01-0.1):(0.1-0.5):(1-5),

所述第一反应物具有通式(1)所示的结构,所述第二反应物具有通式(2)所述的结构:

其中,R1为C12-30的芳胺基,

R2为C1-10的烷基或C6-20的芳基,

n为0、1、2、3或4,且当n为2、3或4时,多个R2相同或不相同,

以及,X为卤素;

S2:在惰性气体保护下,向所述反应装置中加入除水除氧的溶剂,升温至第一温度反应第一时间,冷却至第二温度后,得到第一反应液;

S3:对所述第一反应液进行分离提纯操作,即得产物。

5.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,S1步骤中所述钯催化剂为三(二亚苄基丙酮)二钯、醋酸钯和1,1'-二(二苯膦基)二茂铁二氯化钯(II)中的任意一种。

6.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,S1步骤中所述有机膦配体为三叔丁基膦、三叔丁基膦四氟硼酸盐和双(2-二苯基膦)苯醚中的任意一种。

7.如权利要求4所述的制备方法,其特征在于,S1步骤中所述碱为叔丁醇钠、叔丁醇钾、碳酸铯、碳酸钠和碳酸钾中的任意一种。

8.如权利要求4-7任意一项所述的制备方法,其特征在于,S2步骤中所述第一温度为80-140℃,所述第二温度为20-60℃,所述第一时间为12-48h。

9.如权利要求4-7任意一项所述的制备方法,其特征在于,S3步骤中所述分离提纯操作包括:将所述第一反应液加入冰水中,使用二氯甲烷萃取2-5次,合并有机相,旋蒸,再使用二氯甲烷与正己烷混合液作为洗脱液进行柱层析,所述二氯甲烷与正己烷的体积比为1:(1-10)。

10.一种OLED器件,包括第一电极与第二电极,所述第一电极与第二电极间包括空穴传输层、发光层与电子传输层,其特征在于,所述空穴传输层包含权利要求1-3任意一项所述的芴并吩嗪衍生物。

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