[发明专利]一种三维存储器的制备方法及三维存储器

权利要求书

1.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述三维存储器具有沟道通孔，所述方法包括以下步骤：

在所述沟道通孔内形成第一多晶硅沟道层，所述第一多晶硅沟道层具有第一阶梯覆盖率；

执行原子层沉积ALD工艺，以使所述第一多晶硅沟道层变化为第二多晶硅沟道层，并在所述第二多晶硅沟道层内壁形成氧化硅层；

所述第二多晶硅沟道层具有第二阶梯覆盖率，所述第二阶梯覆盖率大于所述第一阶梯覆盖率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一多晶硅沟道层在所述沟道通孔顶部具有第一厚度，所述第二多晶硅沟道层在所述沟道通孔顶部具有第二厚度；所述第一厚度为所述第二厚度的1.1-1.3倍。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一多晶硅沟道层在所述沟道通孔顶部具有第一厚度，所述第二多晶硅沟道层在所述沟道通孔顶部具有第二厚度；所述第一厚度比所述第二厚度大0.5-2nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一多晶硅沟道层采用低压化学气相沉积LPCVD工艺形成。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述执行原子层沉积ALD工艺包括：在反应腔室内通入H₂、O₂以及HCD。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述执行原子层沉积ALD工艺的时间范围为1.5-4h，温度范围为580-630℃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟道通孔的深宽比范围为50-100。

8.一种三维存储器，其特征在于，包括：沟道通孔，位于所述沟道通孔内的第二多晶硅沟道层，位于所述第二多晶硅沟道层内的氧化硅层；其中，

所述氧化硅层是通过原子层沉积ALD工艺形成的；

所述氧化硅层中具有与所述第二多晶硅沟道层内壁接触的第一部分，所述第一部分是在所述ALD工艺中由多晶硅氧化为氧化硅的，所述第一部分的厚度沿所述沟道通孔顶部到底部的方向减小。

9.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述第一部分在所述沟道通孔顶部的厚度范围为0.5-2nm。

10.根据权利要求8所述的三维存储器，其特征在于，所述第二多晶硅沟道层在所述沟道通孔顶部的厚度大于等于7nm，所述第二多晶硅沟道层的阶梯覆盖率大于等于90％。