[发明专利]平面栅MOSFET及其制造方法在审
| 申请号： | 201910804058.4 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN112447842A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 邱凯兵;杨涛涛;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 张美君 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 mosfet 及其 制造 方法 | ||
1.一种平面栅MOSFET，其特征在于，该平面栅MOSFET包括绝缘栅介质层以及位于所述绝缘栅介质层下方的掺杂区，其中，所述掺杂区是有效掺杂浓度变化的变掺杂区。
2.根据权利要求1所述的平面栅MOSFET，其特征在于，所述变掺杂区包括有效掺杂浓度低的表面区和有效掺杂浓度高的高掺杂区，其中，所述高掺杂区位于所述表面区的下方。
3.根据权利要求2所述的平面栅MOSFET，其特征在于，所述表面区和所述高掺杂区内的有效掺杂浓度变化分别为以下中的至少一者：均匀分布、阶梯变化和连续变化。
4.根据权利要求2所述的平面栅MOSFET，所述平面栅MOSFET包括外延区，其特征在于，所述表面区的有效掺杂浓度小于或等于所述外延区的有效掺杂浓度。
5.根据权利要求4所述的平面栅MOSFET，其特征在于，所述表面区的有效掺杂浓度为所述外延区的有效掺杂浓度的1％～100％。
6.根据权利要求2所述的平面栅MOSFET，所述平面栅MOSFET包括外延区，其特征在于，所述高掺杂区的有效掺杂浓度大于所述外延区的有效掺杂浓度。
7.根据权利要求6所述的平面栅MOSFET，其特征在于，所述高掺杂区的有效掺杂浓度为所述外延区的有效掺杂浓度的1～100倍。
8.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的平面栅MOSFET，所述平面栅MOSFET包括阱区，其特征在于，所述变掺杂区的厚度大于或等于所述阱区的掺杂深度。
9.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的平面栅MOSFET，其特征在于，所述平面栅MOSFET为平面栅SiC MOSFET或平面栅硅型MOSFET。
10.一种平面栅MOSFET的制造方法，其特征在于，该方法包括：
形成平面栅MOSFET的掺杂区，其中，所述掺杂区是有效掺杂浓度变化的变掺杂区；以及
在所述掺杂区上形成绝缘栅介质层。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述形成平面栅MOSFET的掺杂区，包括：
形成有效掺杂浓度高的高掺杂区以及位于所述高掺杂区上的有效掺杂浓度低的表面区。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述表面区和所述高掺杂区内的有效掺杂浓度变化分别为以下中的至少一者：均匀分布、阶梯变化和连续变化。
13.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，所述形成平面栅MOSFET的掺杂区，包括：
通过外延生长或离子注入形成所述平面栅MOSFET的所述掺杂区。
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