[发明专利]一种供电电路、供电方法和电源装置

权利要求书

1.一种供电电路，应用于具有一储能电感的电源装置中，其特征在于，包括：

第一功率管，具有第一端、第二端和控制端，其中第一端与所述储能电感电耦接，控制端与一控制信号电耦接；

电压抬升模块，具有第一端和第二端，其中第一端与所述第一功率管第二端电耦接，第二端与地电耦接，或通过一电流检测电阻与地电耦接；

高压供电模块，与所述第一功率管第一端电耦接，在所述第一功率管导通期间或断开期间，从所述第一功率管第一端开关节点取电，输出一供电电压对外供电。

2.如权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述电压抬升模块，包括：

第一电阻，具有第一端和第二端，其中第一端与所述第一功率管的第二端电耦接；

第二功率管，具有第一端，第二端和控制端，其中第一端与所述第一功率管的第二端和所述第一电阻的第一端电耦接，第二端与地电耦接，或通过一电流检测电阻与地电耦接，控制端与所述第一电阻的第二端电耦接；

第二电阻，具有第一端和第二端，其中第一端与所述第二功率管的控制端和所述第一电阻的第二端电耦接，第二端与所述第二功率管的第二端电耦接。

3.如权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述电压抬升模块，包括：

第三电阻，具有第一端和第二端，其中第一端与所述第一功率管的第二端电耦接；

第三功率管，具有第一端，第二端和控制端，其中第一端与所述第一功率管的第二端和所述第三电阻的第一端电耦接，第二端与地电耦接，或通过一电流检测电阻与地电耦接，第一运放，具有第一输入端，第二输入端和输出端，其中第一输入端与所述第三电阻第二端电耦接，第二输入端与第一基准电压电耦接，输出端与所述第三功率管的控制端电耦接；

第四电阻，具有第一端和第二端，其中第一端与所述第一运放的第一输入端和所述第三电阻的第二端电耦接，第二端与所述第三功率管的第二端电耦接。

4.如权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述高压供电模块，包括：

高压隔离模块，具有输入端和输出端，其中输入端与所述第一功率管第一端电耦接，接收所述第一功率管第一端开关节点的电压，输出端输出一隔离未调节低电压；

电压调节器，具有输入端和输出端，其中输入端与所述高压隔离模块的输出端电耦接，接收所述隔离未调节低电压，输出端输出一受调制的供电电压对外供电。

5.如权利要求4所述的供电电路，其特征在于，所述高压隔离模块为一JFET，其中第一端漏极为输入端，第二端源级为输出端，或所述高压隔离模块为一耗尽型LDMOS管，其中第一端漏极为输入端，第二端源级为输出端。

6.如权利要求4所述的供电电路，其特征在于，所述电压调节器包括：

调整管，具有第一端，第二端和控制端，其中第一端与所述高压隔离模块的输出端电耦接，第二端作为输出端输出一受调制的供电电压对外供电；

误差放大器，具有第一输入端，第二输入端和输出端，其中第一输入端与第二基准电压电耦接，输出端与所述调整管的控制端电耦接；

取样模块，具有第一端，第二端和第三端，其中第一端与所述调整管的第二端电耦接，第二端与所述误差放大器的第二输入端电耦接，第三端与地电耦接。

7.如权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述第一功率管为NMOS管，所述NMOS管的栅极与一控制信号电耦接，源极与所述电压抬升模块第一端电耦接，漏极与储能电感电耦接；或所述第一功率管为三极管，所述三极管的基极与一控制信号电耦接，发射极与所述电压抬升模块第一端电耦接，集电极与储能电感电耦接。

8.一种供电方法，包括：

在第一功率管导通期间，提升所述功率管开关节点的电压，并从所述开关节点取电，产生供电电压对外供电；

在第一功率管断开期间，直接从所述功率管开关节点取电，产生供电电压对外供电。

9.如权利要求1所述的电源装置，其特征在于，包括有如权利要求1至7任一所述的供电电路或采用了如权利要求8所述的供电方法，还包括：

电流检测电阻，具有第一端和第二端，其中第一端与电压抬升模块第二端电耦接，第二端与地电耦接，检测流过第一功率管和电压抬升模块的电流，产生一电压检测信号；

电流检测控制模块，具有输入端和输出端，其中输入端与所述电流检测电阻第一端电耦接，接收所述电压检测信号，输出一关断控制信号；

驱动控制模块，具有输入端和输出端，其中输入端与所述电流检测控制模块电耦接，接收所述关断控制信号，输出一控制信号，控制所述第一功率管导通，以对所述储能电感充电，或者控制所述第一功率管断开，使得所述储能电感放电。