[发明专利]一种采用像素内参数调整技术的大动态范围像素结构

权利要求书

1.一种采用像素内参数调整技术的大动态范围像素结构，其特征在于：通过浅沟槽隔离栅(101)进行不同像素间的隔离，自钳位光电二极管(102)通过传输门(103)与浮动扩散区(104)连接，浮动扩散区另一端连接复位管(105)和源跟随器(106)，源跟随器通过参数放大开关(107)连接行选管(108)；不同的偏置电压源V1(111)和V2(112)与参数放大开关另一端连接，源跟随器与偏置电压源V1和V2之间的开关分别为K1(109)、K2(110)；传输门、复位管、源跟随器、行选管、参数放大开关、开关K1、K2均使用NMOS晶体管实现；传输门由传输信号TG控制，复位管由复位信号RST控制，参数放大开关由SPA信号控制，行选管由行选信号SEL控制，电源选择开关K1、K2由S1、S2信号控制；

自钳位光电二极管由表面嵌位层P+区、N-埋层及P型衬底构成，外界光信号入射到像素表面后被自钳位光电二极管吸收，发生本征吸收，产生光生电子-空穴对，光生电子在势垒区电场作用下吸引至N埋层中；传输门控制自钳位光电二极管的光生电子向浮动扩散区的转移，传输门的栅上加高压时开启，低压时关闭；浮动扩散区为重掺杂N+区，传输门开启后光生电子进入浮动扩散区，浮动扩散区与源跟随器的栅极相连接，参数放大开关被用来短接源跟随器的源极和漏极。