[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法在审
申请号: | 201910805763.6 | 申请日: | 2019-08-29 |
公开(公告)号: | CN110690257A | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 陈宇怀;黄志杰;苏智昱 | 申请(专利权)人: | 福建华佳彩有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 35214 福州市博深专利事务所(普通合伙) | 代理人: | 张明 |
地址: | 351100 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 源层 漏极金属层 阵列基板 绝缘层 薄膜晶体管沟道 边框 栅极绝缘层 高解析度 柔性面板 蚀刻制程 显示面板 相对设置 整体器件 钝化层 抗弯折 面积和 成膜 画素 面型 源极 制程 填充 相通 占用 应用 制造 | ||
本发明涉及阵列基板技术领域,特别涉及一种TFT阵列基板及其制造方法,通过将有源层设置在第一漏极金属层和第一钝化层之间,能够避免有源层受到第一漏极金属层成膜以及蚀刻制程破坏形成共面型的TFT结构;通过在第一源极绝缘层上设置第一过孔,栅极绝缘层上设置第二过孔,第二过孔与第一过孔相对设置且相通,第一过孔和第二过孔中均填充有源层,可以缩短薄膜晶体管沟道制程的临界尺寸从而达到缩小整体器件的占用面积,能够有效提高阵列基板抗弯折能力,而且还能够降低画素面积和显示面板边框尺寸,更适合应用在高解析度柔性面板中。
技术领域
本发明涉及阵列基板技术领域,特别涉及一种TFT阵列基板及其制造方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称为OLED)具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、高响应速率、全彩化和制程简单等优点,且使用柔性背板材料的(Active-matrix Organic Light Emitting Diode,简称为AMOLED)可使显示器产品更轻或更薄,可弯曲和不易折损是OLED未来显示发展的趋势。
目前,OLED的发光效率和稳定性已经能够满足中小尺寸显示的要求,并广泛应用在仪表和智能手机领域;大尺寸的OLED电视机也已开始进入市场。由于OLED是全固态的薄膜器件,且采用有机材料和无定形材料制备,因而在柔性器件方面具有天然的优势,也使其成为可穿戴智能设备领域中重要的技术。OLED为全固态的器件,在进行弯曲折叠的过程中亦能正常工作,因此易于制备柔性器件。
从技术发展阶段来看,柔性显示可分为可弯曲屏幕、可折叠屏幕和自由柔性屏幕三个阶段。目前,OLED显示技术的主流是有源驱动OLED(AMOLED)技术。大部分的柔性OLED产品都还处在初级的可弯曲屏幕阶段,而这一阶段的研发也主要围绕着柔性基板、柔性TFT背板、柔性OLED发光层与薄膜封装这几个关键技术点来进行。如何在柔性显示器上制造类玻璃封装般的高信赖性封装结构且具备挠曲特性,是提高柔性AMOLED寿命最重要的课题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:提供一种能够有效提高阵列基板抗弯折能力的TFT阵列基板及其制造方法。
为了解决上述技术问题,本发明采用的第一种技术方案为:
一种TFT阵列基板,包括TFT区域结构,所述TFT区域结构包括第一玻璃基板,在所述第一玻璃基板表面上依次层叠设有第一柔性衬底、第一水氧阻隔层、第一缓冲层、第一源极金属层、第一源极绝缘层、栅极金属层、栅极绝缘层、第一漏极金属层、有源层和第一钝化层;
所述第一源极绝缘层上设有第一过孔,所述栅极绝缘层上设有第二过孔,所述第二过孔与所述第一过孔相对设置且相通,所述第一过孔和第二过孔中均填充有所述有源层,所述第一过孔中填充的有源层与所述第一源极金属层接触。
本发明采用的第二种技术方案为:
一种TFT阵列基板的制造方法,包括以下步骤:
S1、提供一TFT区域结构的第一玻璃基板,且在所述第一玻璃基板表面覆盖有第一柔性衬底;
S2、形成第一水氧阻隔层,且覆盖于所述第一柔性衬底表面;
S3、形成第一缓冲层,且覆盖于所述第一水氧阻隔层表面;
S4、形成第一源极金属层,且覆盖于所述第一缓冲层表面;
S5、形成第一源极绝缘层,且覆盖于所述第一源极金属层表面;
S6、形成栅极金属层,且覆盖于所述第一源极绝缘层表面;
S7、形成栅极绝缘层,且覆盖于所述栅极金属层表面;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的