[发明专利]闭管热处理的石英管开管方法及激光开管机有效
申请号: | 201910806362.2 | 申请日: | 2019-08-29 |
公开(公告)号: | CN110648947B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 王鑫;宁提;祁娇娇;谭振;周立庆 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B23K26/12;B23K26/382;B23K26/402 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 秦莹 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热处理 石英管 方法 激光 开管机 | ||
本发明公开了一种闭管热处理的石英管开管方法及激光开管机,所述方法包括:将退火后的石英管放入激光开管机的真空腔室内,将所述真空腔室抽真空至低于石英管内的压强;通过激光开管机的激光器在石英管上打出一个小孔,使石英管与真空腔室内的压强平衡;将真空腔室放气至与大气压相同;在从所述真空腔室取出石英管后,通过砂轮切割机在开孔位置沿石英管管壁切开一圆形切口;在圆形切口附近的水干后,通过锉刀在圆形切口处将石英管撬开。
技术领域
本发明涉及红外探测器器件闭管热处理领域,尤其涉及一种闭管热处理的石英管开管方法及激光开管机。
背景技术
随着碲镉汞红外技术的发展,对碲镉汞芯片的缺陷及表面状态的要求越来越高,而降低材料的缺陷密度的一种最重要的方法就是热处理,即在汞蒸汽的保护下对材料进行退火处理。
在碲镉汞材料的热处理中,使用较多的是闭管热处理工艺,这种工艺的优势是汞压容易控制,设备简单。当退火完成后,需要将芯片从石英管中取出时,就要对石英管进行开管,目前使用的方法是:直接用砂轮切割机在石英管顶端切开石英管,但由于石英管内压强较低,约为1E-5Pa,石英管内外存在很大的压强差,切口处产生的石英渣极易被吸入石英管内,导致石英管内的芯片被划伤以及引入沾污,此外,在用切割机切割石英管时,会产生很大的震动,容易造成芯片碎裂,而且在切开石英管时,在切口处会有水进入石英管内,在芯片表面形成水印,影响芯片的性能。为了减小这种石英管开管过程中产生的损伤,需要对退火后石英管的开管方式进行改进。
发明内容
本发明实施例提供一种闭管热处理的石英管开管方法及激光开管机,用以解决现有技术中的上述问题。
本发明实施例提供一种闭管热处理的石英管开管方法,包括:
将退火后的石英管放入激光开管机的真空腔室内,将所述真空腔室抽真空至低于石英管内的压强;
通过激光开管机的激光器在石英管上打出一个小孔,使石英管与真空腔室内的压强平衡;
将真空腔室放气至与大气压相同;
在从所述真空腔室取出石英管后,通过砂轮切割机在开孔位置沿石英管管壁切开一圆形切口;
在圆形切口附近的水干后,通过锉刀在圆形切口处将石英管撬开。
本发明实施例还提供一种激光开管机,用于对退火后的石英管进行开管,具体包括:真空腔室,用于放置退火后的石英管;激光器,设置于所述真空腔室的一端,用于通过激光在所述石英管上打出一个小孔,使石英管与真空腔室内的压强平衡。
采用本发明实施例,能够减小碲镉汞芯片在开管过程中出现的划伤和各种沾污,提升芯片成品率,提高芯片质量。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举本发明的具体实施方式。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中,用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:
图1是本发明实施例的闭管热处理的石英管开管方法的示意图;
图2是本发明实施例的碲镉汞芯片热处理过程中使用的石英管示意图;
图3是本发明实施例的使用激光开管机打孔的示意图;
图4是本发明实施例的放入芯片后的石英管示意图;
图5是本发明实施例的激光开管机的示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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