[发明专利]一种改善LED芯片制造良率的方法

权利要求书

1.一种改善LED芯片制造良率的方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)外延层生长；

2)沉积氧化物薄膜（12）；

3)ITO膜（9）蒸镀；

4)制作P面电极（11）；

5)蒸镀N面电极（1）；

6)蒸镀保护膜（10）：取步骤5）处理后的晶片，N面向下、P面向上放置到电子束蒸发台内，在晶片P面交替蒸镀MgF₂/CaF₂薄膜，形成保护膜（10）；

7)锯片切割：保护膜（10）蒸镀结束后，将晶片N面贴在崩环上，再将崩环放在切割机内，进行锯片切割；

8)去除保护膜（10）：取切割后的晶片，热水超声清洗，去除晶片表面的保护膜（10）；

9)扩膜，结束操作。

2.根据权利要求1所述的一种改善LED芯片制造良率的方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)外延层生长：取GaAs衬底（2），在GaAs衬底（2）上依次生长GaAs缓冲层（3）、n-AlGaInP限制层（4）、多量子阱有源层（5）、p-AlGaInP限制层（6）、第一高掺p-GaP窗口层（7）和第二高掺p-GaP窗口层（8），得到晶片外延层；

2)沉积氧化物薄膜（12）：取步骤1）生长后的晶片，在第二高掺p-GaP窗口层（8）上制作光刻胶掩膜图形，腐蚀，形成裸露区，再在裸露区上沉积氧化物薄膜（12）；

3)ITO膜（9）蒸镀：取步骤2）处理后的晶片，在晶片外延层上蒸镀ITO膜（9），ITO膜（9）覆盖在整个外延层表面；

4)制作P面电极（11）：再在ITO膜（9）表面制作光刻胶掩膜图形，生长P面电极（11）；

5)蒸镀N面电极（1）：P面电极（11）生长结束后，将晶片GaAs衬底（2）减薄，并在减薄后的晶片背面蒸镀N面电极（1），N面电极（1）覆盖整个晶片背面；

6)保护膜（10）蒸镀：取步骤5）处理后的晶片，N面向下、P面向上放置到电子束蒸发台内，在晶片P面交替蒸镀MgF₂/CaF₂薄膜，形成保护膜（10）；

7)锯片切割：保护膜（10）蒸镀结束后，将晶片N面贴在崩环上，再将崩环放在切割机内，进行锯片切割；

8)去除保护膜（10）：取切割后的晶片，热水超声清洗，去除晶片表面的保护膜（10）；

9)取步骤8）去膜后的晶片，放入清洗机中清洗，烘干，再进行扩膜，形成单个独立芯粒，结束操作。