[发明专利]平面多电子注激励石墨烯亚波长集成光栅的太赫兹辐射源

权利要求书

1.一种石墨烯亚波长集成光栅的太赫兹辐射源，包括：

外壳，用于保护所述太赫兹辐射源；

电子枪阴极，其设置在外壳开口的一侧，用于发射多电子注；

光栅结构，其设置在外壳内部且表面设有石墨烯层，石墨烯层表面等离子体激元与多电子注进行返波机制互作用产生太赫兹辐射；

隔板，其设置在相邻的两个电子注之间，用于隔离电子注；以及

输出端口，其设置在外壳上，且位于靠近电子枪阴极的一端，用于输出太赫兹辐射。

2.根据权利要求1所述的太赫兹辐射源，其特征在于，

所述电子枪阴极的形状包括带状、矩形、椭圆、圆形中的任一种。

3.根据权利要求1所述的太赫兹辐射源，其特征在于，

所述多电子注的电压为10-30kV。

4.根据权利要求1所述的太赫兹辐射源，其特征在于，

所述多电子注的形状包括带状。

5.根据权利要求1所述的太赫兹辐射源，其特征在于，

所述光栅结构的截面形状包括矩形、三角形、正弦型中的任一种或多种组合。

6.根据权利要求1所述的太赫兹辐射源，其特征在于，

所述光栅结构采用的材料为金属；

所述的隔板采用的材料包括金属。

7.根据权利要求1所述的太赫兹辐射源，其特征在于，

所述的太赫兹辐射源还包括用于收集电子注能量的收集极，所述收集极设置在外壳远离电子枪阴极的开口一侧。

8.根据权利要求1所述的太赫兹辐射源，其特征在于，

所述的光栅结构的延伸方向与所述多电子注延伸方向垂直。

9.根据权利要求1所述的太赫兹辐射源，其特征在于，

所述外壳为两端开口的盒装结构；

所述输出端口设在外壳设有光栅结构的一面上。

10.如权利要求1-9任一项所述的太赫兹辐射源在太赫兹技术领域的应用。