[发明专利]硅异质结太阳电池的光处理方法

权利要求书

1.一种硅异质结太阳电池的光处理方法，其特征在于，包括：

至少一次光照处理，所述光照处理在形成非晶硅薄膜之后进行；

在所述光照处理之后，还包括至少一次热处理，

至少一次光照处理和至少一次热处理交替进行，

最后一次光照处理之后不再进行热处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包括：

S100：提供晶硅衬底；

S200：在所述晶硅衬底的两个相对的表面上形成所述非晶硅薄膜；

S300：在所述非晶硅薄膜远离所述晶硅衬底的表面上形成TCO层；

S400：在所述TCO层远离所述晶硅衬底的表面上形成栅线电极层，

其中，至少一次所述光照处理在步骤S200之后且步骤S300之前进行，或至少一次所述光照处理在步骤S300之后且步骤S400之前进行，或至少一次所述光照处理在步骤S400之后进行。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每一次所述光照处理的条件为：

光照强度为1～120个太阳；

光照处理时样品所处温度为25～260℃；

光照时间为3秒～1小时。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述光照处理的光为太阳光谱的光或波长在200～1100nm范围内的混合光或单色光，所述光照处理的光源为卤素灯组、LED灯组或激光器。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每一次所述热处理的条件为：温度为150℃～260℃，时间为0～1小时。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光照处理的总时间不超过3小时，所述热处理的总时间不超过2小时。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光照处理可在被光照射结构的上表面和/或下表面进行。