[发明专利]参考电压产生电路

权利要求书

1.一种参考电压产生电路，其特征在于，用以产生输出电压，包括：

带隙参考电路，于输出节点产生该输出电压且还产生参考电压，其中，所述带隙参考电路包括：第一金属氧化物半导体晶体管，具有栅极、耦接电压源的源极、以及直接连接该输出节点的漏极；第一电阻器，具有直接连接该输出节点的第一端和耦接接地端的第二端；以及

电压调整电路，耦接该带隙参考电路，接收该输出电压以及该参考电压，比较该输出电压与该参考电压以产生比较结果，且根据该比较结果调整该输出电压。

2.根据权利要求1所述的参考电压产生电路，其中，该带隙参考电路包括：

第一双极晶体管，具有耦接该接地端的基极、耦接该接地端的集极、以及耦接第一节点的射极；

第二双极晶体管，具有耦接该接地端的基极、耦接该接地端的集极、以及耦接第二节点的射极；

第二电阻器，耦接于该第二节点与第三节点之间；

第三电阻器，具有直接连接参考节点的第一端和直接连接该第三节点的第二端；

第二金属氧化物半导体晶体管，具有耦接第四节点的栅极、耦接该电压源的源极、以及直接连接该参考节点的漏极；以及

运算放大器，具有直接连接该第三节点的非反相输入端、直接连接该第一节点的反相输入端、以及耦接该第四节点的输出端，

其中，该第一电阻器的第二端直接连接该第一节点，该第一金属氧化物半导体晶体管的栅极耦接该第四节点，以及

响应于该电压源接收供应电压，该参考电压产生电路操作以分别在该输出节点以及该参考节点产生该输出电压以及该参考电压。

3.根据权利要求1所述的参考电压产生电路，其中，该电压调整电路包括：

比较器，具有接收该输出电压的非反相输入端、接收该参考电压的反相输入端、以及产生控制信号的输出端，该控制信号指示该比较结果；以及

路径控制电路，耦接于电压源与接地端之间，且由该控制信号所控制以提供充电路径或放电路径至该输出节点。

4.根据权利要求3所述的参考电压产生电路，其中，响应于该输出电压大于该参考电压，该路径控制电路根据该控制信号提供该放电路径至该输出节点，且响应于该输出电压小于该参考电压，该路径控制电路根据该控制信号提供该充电路径至该输出节点。

5.根据权利要求3所述的参考电压产生电路，其中，该路径控制电路包括：

第二金属氧化物半导体晶体管，具有接收该控制信号的栅极、耦接该电压源的源极、以及耦接该输出节点的漏极；以及

第三金属氧化物半导体晶体管，具有接收该控制信号的栅极、耦接该输出节点的漏极、以及耦接该接地端的源极。

6.根据权利要求1所述的参考电压产生电路，还包括：

偏移电流产生电路，产生偏移电流至该带隙参考电路，以消除该带隙参考电路的第一运算放大器的偏移电压。

7.根据权利要求6所述的参考电压产生电路，其中，该带隙参考电路还包括耦接于该第一运算放大器与接地端之间的一对第一双极晶体管，且该对第一双极晶体管之间的尺寸比等于2×n，n为正整数；以及

其中，该偏移电流产生电路包括第二运算放大器且还包括耦接于该第二运算放大器与该接地端之间的一对第二双极晶体管，且该对第二双极晶体管之间的尺寸比等于2。

8.根据权利要求7所述的参考电压产生电路，其中，该对第二双极晶体管中的一个具有耦接该接地端的基极、耦接该接地端的集极、以及耦接第一节点的射极；

其中，该对第二双极晶体管中的另一个具有耦接该接地端的基极、耦接该接地端的集极、以及耦接第二节点的射极；

其中，该偏移电流产生电路还包括耦接于该第二节点与第三节点之间的电阻器且还包括电流镜电路；

其中，该第二运算放大器具有耦接该第三节点的非反相输入端、耦接该第一节点的反相输入端、以及输出端；以及

其中，该电流镜电路耦接于电压源与该对第二双极晶体管之间，且由该第二运算放大器的该输出端上的输出所控制以产生该偏移电流。