[发明专利]一种超薄扇出型封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种超薄扇出型封装结构，其特征在于，包括：

背面相互贴合的第一芯片(1)和第二芯片(2)，所述第一芯片(1)背面的衬底经过减薄处理；

塑封体(3)，所述塑封体(3)包封所述第一芯片(1)和所述第二芯片(2)；

重布线结构，设置在所述塑封体(3)靠近所述第一芯片(1)的一侧，所述重布线结构分别与所述第一芯片(1)和第二芯片(2)电连接。

2.根据权利要求1所述的超薄扇出型封装结构，其特征在于，所述塑封体(3)具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，

所述第一芯片(1)的正面与所述塑封体(3)的第一表面齐平，所述第二芯片(2)的正面与所述塑封体(3)的第二表面齐平。

3.根据权利要求2所述的超薄扇出型封装结构，其特征在于，还包括：

第一导电互联结构(9)，沿所述第一芯片(1)和第二芯片(2)的排布方向上贯穿所述塑封体(3)，所述第一导电互联结构(9)为导电柱或导电通孔；

第二导电互联结构(10)，设置在所述塑封体(3)靠近所述第二表面的一侧，所述第二导电互联结构(10)分别与所述第二芯片(2)的正面以及所述第一导电互联结构(9)连接，

所述第二芯片(2)依次通过所述第二导电互联结构(10)、所述第一导电互联结构(9)与所述重布线结构连接。

4.根据权利要求1-3任一所述的超薄扇出型封装结构，其特征在于，所述重布线结构包括：

焊接结构(4)，一端与所述第一芯片(1)或所述第二芯片(2)电连接，另一端与第一导电垫(5)电连接；

外接焊球(6)，与第二导电垫(7)连接；

导电转移结构，连接所述第一导电垫(5)和所述第二导电垫(7)。

5.根据权利要求1-4任一所述的超薄扇出型封装结构，其特征在于，所述第二芯片(2)背面的衬底经过减薄处理。

6.一种权利要求1-5任一所述的超薄扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一载片(16)并在所述第一载片(16)上倒装第一芯片(1)，制作塑封体(3)包封所述第一芯片(1)；

减薄所述第一芯片(1)背面的衬底，以在所述塑封体(3)上靠近所述第一芯片(1)背面的一侧形成空腔(18)；

在所述塑封体(3)内沿所述第一芯片(1)和第二芯片(2)的排布方向上制作贯穿所述塑封体(3)的第一导电互联结构(9)；

在所述空腔(18)内放置第二芯片(2)，使所述第二芯片(2)的背面和所述第一芯片(1)的背面相贴合；

在所述塑封体(3)靠近所述第二芯片(2)的一侧制作第二导电互联结构(10)，通过所述第二导电互联结构(10)连接所述第二芯片(2)与所述第一导电互联结构(9)；

拆除所述第一载片(16)，并在所述塑封体(3)靠近所述第一芯片(1)的一侧制作重布线结构，使所述重布线结构分别与所述第一芯片(1)和第一导电互联结构(9)连接。

7.根据权利要求6所述的超薄扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，通过干法刻蚀或湿法腐蚀的方法减薄所述第一芯片(1)背面的衬底。

8.根据权利要求6或7所述的超薄扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，在所述第二芯片(2)与所述空腔(18)之间的空隙中制作填充体(19)。

9.根据权利要求6-8任一所述的超薄扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，制作所述第二导电互联结构(10)的方法包括：

在所述第二芯片(2)和所述第一导电互联结构(9)上分别制作第一转移线(12)；

在所述第一转移线(12)上分别连接导电件(13)；

将与所述第二芯片(2)连接的导电件(13)和与所述第一导电互联结构(9)连接的导电件(13)之间通过第二转移线(14)连接。

10.根据权利要求6-9任一所述的超薄扇出型封装结构的制作方法，其特征在于，制作所述重布线结构的方法包括：

在所述第一芯片(1)和所述第一导电互联结构(9)上分别制作焊接结构(4)；

提供第二载片(20)，依次在所述第二载片(20)上制备第二导电垫(7)、导电转移结构、第一导电垫(5)，所述第二导电垫(7)与所述第一导电垫(5)通过所述导电转移结构连接；

将所述第二导电垫(7)与所述焊接结构(4)焊接；

拆除所述第二载片(20)，并在所述第一导电垫(5)上制作外接焊球(6)。