[发明专利]一种具有高稳定性的12T TFET SRAM单元电路结构

权利要求书

1.一种具有高稳定性的12T TFET SRAM单元电路结构，其特征在于，所述电路结构包括十个NTFET晶体管和两个PTFET晶体管，十个NTFET晶体管依次记为N1～N10，两个PTFET晶体管分别记为P1、P2，其中：

电源VDD与NTFET晶体管N7及NTFET晶体管N8的漏极电连接，同时电源VDD也与PTFET晶体管P1的源极以及PTFET晶体管P2的源极电连接；

PTFET晶体管P1的漏极，与NTFET晶体管N1的漏极、NTFET晶体管N2的栅极、NTFET晶体管N4的栅极、NTFET晶体管N5的漏极、NTFET晶体管N7的栅极以及PTFET晶体管P2的栅极电连接；

PTFET晶体管P2的漏极，与PTFET晶体管P1的栅极、NTFET晶体管N1的栅极、NTFET晶体管N2的漏极、NTFET晶体管N3的栅极、NTFET晶体管N6的漏极、NTFET晶体管N8的栅极以及NTFET晶体管N10的栅极电连接；

NTFET晶体管N7的源极，与NTFET晶体管N1的源极以及NTFET晶体管N3的漏极电连接；

NTFET晶体管N8的源极，与NTFET晶体管N2的源极以及NTFET晶体管N4的漏极电连接；

NTFET晶体管N9的源极与NTFET晶体管N10的漏极电连接；

NTFET晶体管N3的源极、NTFET晶体管N4的源极以及NTFET晶体管N10的源极与GND电连接。

2.根据权利要求1所述具有高稳定性的12T TFET SRAM单元电路结构，其特征在于，所述电路结构还包括：

写字线WL与NTFET晶体管N5的栅极以及NTFET晶体管N6的栅极电连接；

写位线BL与NTFET晶体管N5的源极连接；

写位线BLB与NTFET晶体管N6的源极连接；

读字线RWL与NTFET晶体管N9的栅极连接；

读位线RBL与NTFET晶体管N9的漏极连接。

3.根据权利要求1所述具有高稳定性的12T TFET SRAM单元电路结构，其特征在于，所述PTFET晶体管P1与NTFET晶体管N1、N3、N7构成反相器；所述PTFET晶体管P2与NTFET晶体管N2、N4、N8构成了另一个反相器，这两个反相器构成了锁存电路。

4.根据权利要求3所述具有高稳定性的12T TFET SRAM单元电路结构，其特征在于，所述NTFET晶体管N7与N8用于读、写和保持操作时提高反相器的反转阈值，能够达到当单元进行读、写和保持操作时提高单元读、写和保持能力的目的。

5.根据权利要求1所述具有高稳定性的12T TFET SRAM单元电路结构，其特征在于，

所述NTFET晶体管N9与N10构成读写分离用作读操作部分的电路，采用这种结构能够提高SRAM单元的读能力和速度。

6.根据权利要求1所述具有高稳定性的12T TFET SRAM单元电路结构，其特征在于，

所述NTFET晶体管N5与N6用于传输管结构。