[发明专利]集成电路器件、电路和操作电路的方法

权利要求书

1.一种集成电路(IC)器件，包括：

反熔丝器件，包括位于第一栅极结构和有源区之间的介电层；

第一晶体管，包括位于所述有源区上面的第二栅极结构；以及

第二晶体管，包括位于所述有源区上面的第三栅极结构，

其中，所述第一栅极结构位于所述第二栅极结构和所述第三栅极结构之间。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中

所述有源区包括第一源极-漏极(S/D)结构至第四源极-漏极结构，

所述第二栅极结构位于所述第一源极-漏极结构和第二源极-漏极结构上面，

所述第一栅极结构位于所述第二源极-漏极结构和所述第三源极-漏极结构上面，以及

所述第三栅极结构位于所述第三源极-漏极结构和所述第四源极-漏极结构上面。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括

第一接触结构，被配置为将所述有源区电连接到导体；以及

第二接触结构，被配置为将所述有源区电连接到所述导体，

其中，所述第一栅极结构、所述第二栅极结构、所述第三栅极结构位于所述第一接触结构和所述第二接触结构之间。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

第一通孔结构，被配置为将所述第二栅极结构电连接到导体；以及

第二通孔结构，被配置为将所述第三栅极结构电连接到所述导体。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述集成电路器件被配置为通过所述第一晶体管和所述第二晶体管并联地将电流从所述第一栅极结构传导到位线。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中

所述反熔丝器件是第一反熔丝器件，

所述介电层是第一介电层，以及

所述集成电路器件还包括：

第二反熔丝器件，包括位于所述第四栅极结构和所述有源区之间的第二介电层；

第三晶体管，包括位于所述有源区上面的第五栅极结构；和

第四晶体管，包括位于所述有源区上面的第六栅极结构，

其中，所述第四栅极结构位于所述第五栅极结构和所述第六栅极结构之间。

7.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中

所述有源区包括第一源极-漏极(S/D)结构至第七源极-漏极结构，

所述第二栅极结构位于所述第一源极-漏极结构和第二源极-漏极结构上面，

所述第一栅极结构位于所述第二源极-漏极结构和第三源极-漏极结构上面，

所述第三栅极结构位于所述第三源极-漏极结构和第四源极-漏极结构上面，

所述第五栅极结构位于所述第四源极-漏极结构和第五源极-漏极结构上面，

所述第四栅极结构位于所述第五源极-漏极结构和第六源极-漏极结构上面，以及

所述第六栅极结构位于所述第六源极-漏极结构和所述第七源极-漏极结构上面。

8.根据权利要求6所述的集成电路器件，还包括：

第一接触结构，被配置为将所述有源区电连接到导体；

第二接触结构，被配置为将所述有源区电连接到所述导体；以及

第三接触结构，被配置为将所述有源区电连接所述导体，其中

所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述第三栅极结构位于所述第一接触结构和所述第二接触结构之间，和

所述第四栅极结构、所述第五栅极结构和所述第六栅极结构位于所述第二接触结构和所述第三接触结构之间。

9.一种电路，包括：

导线；

位线；

反熔丝器件；

第一晶体管；以及

第二晶体管，

其中

所述反熔丝器件和所述第一晶体管串联耦合在所述导线和所述位线之间，以及

所述反熔丝器件和所述第二晶体管串联耦合在所述导线和所述位线之间。

10.一种操作电路的方法，所述方法包括：

在反熔丝器件的栅极处接收电压；以及

同时使用第一晶体管和第二晶体管将所述反熔丝器件耦合到位线。