[发明专利]极紫外光光掩模及其制造方法

说明书

本发明实施例涉及极紫外光光掩模及其制造方法。提供一种光掩模和制造光掩模的方法。根据实施例，一种方法包含：提供衬底；在所述衬底上沉积反射层；在所述反射层上沉积罩盖层；在所述罩盖层上沉积吸收层；以及通过激光束处理所述反射层以形成边界区。所述激光束包含低于约十皮秒的脉冲持续时间。

技术领域

本发明实施例涉及极紫外光光掩模及其制造方法。

背景技术

在先进的半导体技术中，装置大小的不断减小以及越来越复杂的电路布置使得集成电路(IC)的设计和制造更具挑战性且成本更高。为了追求具有更小占用面积和更低功率的更好装置性能，已研究先进的光刻技术，例如极紫外光(EUV)光刻，作为制造线宽为30nm或更小的半导体装置的方法。EUV光刻使用光掩模来控制EUV辐射下的衬底照射，从而在衬底上形成图案。

虽然现有的光刻技术已改进，但其仍未能满足许多方面的要求。举例来说，在EUV光刻工艺期间，外来颗粒的污染持续引起重大问题。

发明内容

根据本发明的实施例，一种方法包括：提供衬底；在所述衬底上沉积反射层；在所述反射层上沉积罩盖层；在所述罩盖层上沉积吸收层；以及通过激光束处理所述反射层以形成边界区，所述激光束包括低于约十皮秒的脉冲持续时间。

根据本发明的实施例，一种制造光掩模的方法包括：提供衬底；在所述衬底上沉积包括Mo/Si层的多层堆叠，所述多层堆叠包括第一部分和包围所述第一部分的第二部分；在所述多层堆叠上沉积罩盖层；在所述罩盖层上形成吸收层；以及使用激光束对所述第二部分执行处理以在所述第二部分中形成硅化钼，所述激光束包括小于所述多层堆叠的烧蚀能量的光束强度和小于一纳秒的脉冲持续时间。

根据本发明的实施例，一种光掩模包括：衬底；所述衬底上的多层堆叠，所述多层堆叠包括交替的钼层和硅层且包含第一区域和横向包围所述第一区域的第二区域，所述第二区域包括小于所述第一区域的厚度的厚度；所述多层堆叠上的顶盖层；以及所述顶盖层上的吸收层。

附图说明

当结合附图阅读时，会从以下详细描述中最好地理解本公开的各方面。应注意，根据业界的标准惯例，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

实际上，为了清楚讨论，可以任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1A和1B分别是根据一些实施例的光掩模的横截面图和俯视图。

图2A到2G是根据一些实施例的制造光掩模的方法的中间阶段的横截面图。

图3是根据一些实施例的激光束轮廓的示意图。

图4是根据一些实施例的制造半导体装置的方法的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的具体实例以简化本公开。当然，这些只是实例，且并非旨在为限制性的。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或在第二特征上的形成可包含第一特征与第二特征直接接触地形成的实施例，且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成以使得第一特征与第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本公开可在各种实例中重复参考数字和/或字母。此重复是出于简单和清晰的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

此外，为易于描述，本文可使用例如“底下”、“低于”、“下部”、“上方”、“上部”等空间相对术语来描述如图中所说明的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除了图中所描绘的定向之外，空间相对术语旨在涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转70度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词可同样地进行相应解释。